财联社 10 月 17 日讯（编辑 马兰）综合媒体消息，台积电计划在 2 纳米芯片制程上涨价，可能将导致其一些大客户转向三星电子的先进芯片代工。

业内人士周四表示，台积电已对现有的 3 纳米制程提价，预计使高通的移动应用处理器的代工价格上涨约 16%，联发科的芯片则上涨 24%，两家公司的业绩都将因此受到影响。

9 月时，高通首席执行官 Cristiano Amon 也指出，在代工半导体方面将尽可能多地考虑各种选择，但他也指出英特尔的 18A 工艺尚无法得到其信任。

考虑到全球只有台积电、三星电子和英特尔竞争 3 纳米以下的先进制程，Amon 的言论可能暗示高通正在考虑与三星电子在先进制程上的合作。

另一方面，有消息指出高通已经与三星电子组建了合作团队，正在评估骁龙 8 Elite Gen 5 的 2 纳米 GAA 版本，以用于高通未来的旗舰产品。

业内人士指出，三星似乎已经开始量产采用 2 纳米 GAA 工艺的 Exynos 2600，该芯片组将搭载于多款三星 Galaxy S26 手机之上。此外，三星已将 2 纳米 GAA 工艺的良率提高至 50%，有望吸引更多客户。

然而，三星电子多年来在良率上声誉不佳，因此即使是在当前台积电涨价的情况下，想要取得关键客户的信任仍任重道远。

另一方面，台积电也不太可能在竞争压力下降低价格，其中一个关键原因在于台积电在美国亚利桑那州的工厂难以降低成本。

业内预估，台积电 4 纳米制程在美成本将比在中国台湾地区的制造成本高出 30% 左右，而采用极紫外光刻机等高价设备且工艺更加复杂的 2 纳米工艺将把成本差距进一步扩大至 50%。迫于美国总统特朗普的 " 美国制造 " 压力，台积电目前只能接受成本上涨的现实。

三星电子在美国得克萨斯州的成本也面临相同困境，但业内普遍认为其风险因素较台积电要少。业内人士指出，三星在得州的工厂已经运营了近 20 年，且与格芯等公司建立了合作体系，因此本地化方面更有经验。

（财联社 马兰）