存储芯片近期表现活跃，消息面上，据报道过去半年全球存储芯片价格持续上涨。CFM 闪存市场发布 2025 年 Q4 存储市场展望报告。报告指出，预计四季度，服务器 eSSD 涨幅将达到 10% 以上，DDR5 RDIMM 价格涨幅约 10%~15%。

受 AI 数据中心推升的存储器强劲需求，三星此前大幅上调 NAND 产品价格，DRAM 产品涨幅高达 30%，交期也从单月延长至半年以上。美光、闪迪等竞争对手同步跟进涨价措施。

财联社 VIP 特联合蜂网火线直连" 存储 "行业专家，探究相关产品涨价背后逻辑可持续，以及对相关产业链可能带来的影响，并于 9 月 28 日发文。

【核心逻辑】

【交流纪要】

问题一：最近存储为什么涨价？

专家：存储价格超预期上涨的核心驱动力来源于数据中心与 AI 应用的需求爆发叠加供给端产能紧缺。根据美光最新财报，企业级存储需求增速达 34%，其 DRAM 收入环比增 10%，其中数据中心独占 40% 份额；而供给端 DRAM 产能利用率已达 95% 的上限，新增产能最早需等到 2026 年下半年释放。在结构性短缺下，上游原厂策略性放弃低利润产品线（如三季度全面停产的 LPDDR4），导致通用型存储现货价格暴涨。

由于晶圆厂将 80% 资本开支倾斜于 HBM 及 DDR5 等高毛利产品，用于传统服务器的 DDR4/LPDDR4 颗粒供给持续萎缩。与此同时，NAND 环节出现反常规产能收缩，推高 NAND 涨幅至历史罕见区间。

此前市场普遍误判四季度将迎来价格上涨过多的下降拐点，但现实是四季度合约价涨幅不降反升，尤其 DRAM 在 2026 年供应紧张已被确认为产业共识。这种预期差导致下游厂商集中启动补库（兆易创新等模组厂库存周转加速），而存储模组厂如江波龙 / 佰维借助国产化窗口切入阿里 / 腾讯服务器供应链，进一步强化价格传导的韧性。

问题二：存储是否还有积极扩产需求？上游设备厂商能否较大受益？

专家：存储行业正经历结构性扩产周期，但新增产能高度聚焦特定领域且短期释放有限。如美光最新财报明确规划 45 亿美金 Capex 投入美国、日本及新加坡工厂的 DRAM 产能扩张，其中 HBM 相关产线占比超 60%；韩国三星与海力士同步加速 HBM3E 量产。

上游设备厂商迎来双重增长引擎：扩产规模叠加制程升级带来单机价值量提升。存储晶圆厂每万片月产能投资达 80-100 亿人民币，且层数堆叠对刻蚀 / 薄膜设备需求激增——中微公司电介质刻蚀机单价较传统设备溢价 50%；拓荆科技针对 HBM 的晶圆级封装薄膜设备单台价值量突破 3000 万元。设备商订单能见度已延伸至 2026 年。

问题三：国内 HBM 技术的成熟度如何了？哪些企业有相应的业务？

专家：国内 HBM 技术仍处于攻坚阶段，核心突破集中在先进封装与材料环节。兆易创新的 3D DRAM 混合键合技术已实现堆叠带宽 800GB/s（接近 HBM3E 水平），但大规模量产需等待晶圆产能落地。

封装材料成为国产替代关键突破点。华海诚科的高密度塑封料已通过海力士认证，其 HBM 封装专用 EMC 材料导热系数提升 40%；德邦科技的导电胶粘接材料打破汉高垄断，解决 12 层堆叠应力开裂问题，2025 年产能将达 800 吨 / 年。雅克科技前驱体材料覆盖 SK 海力士 HBM3E 产线 70% 需求。

设备企业加速切入测试环节。长川科技的 3D 存储测试机实现突破；华峰测控的探针台支持 HBM 的 1024 位并行测试，测试成本降低 30%。通富微电的 12 英寸晶圆级封装产线具备 HBM2e 量产能力（良率 85%），正配合 AMD 推进 CoWoS-S 兼容方案。

问题四：除了存储外，半导体设备是否还有其它新增需求出现？

专家：先进制程扩产潮正成为半导体设备第二大驱动力。台积电宣布追加 1000 亿美元投资，计划在美国、日本和德国新建 9 座晶圆厂（含 6 座先进制程厂），其 3 纳米产能将从当前的 4 万片 / 月提升至 2026 年的 15 万片以上，直接拉动高端光刻机（ASML 高 NA EUV 订单增 30%）及原子层沉积设备（ALD）需求。

第三代半导体功率器件产线建设进入爆发期。三安光电碳化硅产线新增 50 台外延炉采购（对应月产 3 万片），北方华创的 SiC 高温离子注入机获英飞凌验证；天岳先进 8 英寸碳化硅衬底产线扩产触发科友半导体长晶炉订单增长 200%。车规级 IGBT 模块封装需求推动贴片机均价提升 25%，国产替代窗口下新益昌的固晶机已进入比亚迪供应链。

晶圆级封装产能短缺倒逼设备升级。日月光的 2.5D 封装产线扩产计划带动应用材料电镀设备采购量翻倍；国内通富微电为 AMD 扩建的封测基地新增 200 台测试机采购，长川科技分选机订单排产至 2026 年第三季度。随着 HBM 堆叠层数增至 12 层，3D 量测设备单台价格突破 1500 万美元，国产替代窗口下中科飞测的晶圆缺陷检测设备正在国内大厂验证。

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