快科技 10 月 22 日消息，据报道，三星电子近期在先进半导体技术领域展现出强劲的信心，特别是对其 2 纳米 GAA 制程的进展高度乐观。

报道称，在由总统办公室政策首席 Kim Yong-beom 主持的一次半导体产业会议上，三星设备解决方案部门总裁兼技术长 Song Jae-hyuk 对 2 纳米 GAA 制程给出了极高的评价。

此前几年，三星晶圆代工业务的表现一直不如人意，市场份额被台积电大幅领先，但目前情况似乎有所转变。

报告指出，三星已将 2 纳米 GAA 的良率目标从原定的 50% 大幅提高至 70%，并计划在 2025 年底实现这一目标。

一位知情人士透露，三星高层在会议上的言论可以解读为：公司正顺利实现其预期的 2 纳米制程良率和芯片性能目标。

Song Jae-hyuk 更是暗示了雄心壮志，希望借助 2 纳米 GAA 节点的成功，最终在全球晶圆代工市场中夺取第一的位置。 不过他也坦言，在追赶台积电以及应对技术和人力挑战方面，公司需要政府提供强有力的支持。

三星首款采用 2 纳米 GAA 技术的芯片将是其自研 Exynos 2600，初步的内部测试结果显示，Exynos 2600 性能超越了竞争对手苹果的 A19 Pro 和高通的第五代骁龙 8 至尊版。