《科创板日报》10 月 23 日讯 AI 繁荣背景下，存储芯片的这波 " 超级周期 "，或比以往更加持久一些。

据《韩国经济日报》报道，三星电子、SK 海力士等主要内存供应商，将在今年第四季度继续向客户调整报价。幅度上，包括 DRAM 和 NAND 在内存储产品价格将上调高达 30%，从而顺应 AI 驱动的存储芯片需求激增趋势。

整体而言，本轮涨价幅度略高于预期。早在 9 月下旬，三星电子便已发出第四季度提价通知，当时的计划是将部分 DRAM 价格上调 15% 至 30%，NAND 闪存价格上调 5% 至 10%。而回到当下，根据花旗集团和摩根士丹利在其半导体行业分析报告中所预测，第四季度 DRAM 平均售价将上涨 25-26%，** 比上一季度上涨 10% 以上，涨价热潮或进一步加剧。

需要承认，存储芯片行业正加速迈入 " 超级周期 " 几乎已成为市场不争的共识。如存储模组大厂威刚董事长陈立白判断，第四季度仅仅是存储严重缺货的起点，明年存储产业将继续处于供货吃紧状态。

对存储芯片供应趋紧的预判则进一步加剧了市场的囤货行为。另据《朝鲜日报》报道，由于担心 DRAM 短缺，几家领先的国际电子和服务器公司正在囤积内存，并与三星和 SK 海力士洽谈签订 2 至 3 年长期供应协议，与以往按季度或年度签订合同的传统形成鲜明对照。

存储芯片进入 " 超级周期 " 的源头何在？归根结底，离不开 AI 和高性能计算需求的爆发。

正如美光公司首席商务官苏米特 · 萨达纳（Sumit Sadhana）所言，DRAM 价格上涨部分原因是供应紧张，而这一趋势很大程度上是由 HBM 需求激增推动的，因为 HBM 消耗的晶圆容量是标准 DRAM 的三倍多。而根据摩根士丹利预测，今年包括谷歌、亚马逊、Meta、微软在内的科技巨头，将在人工智能基础设施上投入 4000 亿美元。

也因此，国内外存储厂商纷纷将优先布局 HBM 相关的先进封测领域作为其经营策略。10 月 20 日消息，三星正在加紧推进 HBM4 的研发，计划于 10 月 27 日至 31 日进行发布，并于今年晚些时候量产。上市公司方面，佰维存储于 10 月 21 日在互动平台表示，公司的晶圆级先进封测制项目正处于投产准备过程中，公司正加紧惠州封测制造中心的产能扩建。

从价格趋势来看，TrendForce 预测，2025 年 HBM 的平均销售单价将同比上涨 20.8%，达到 1.80 美元 /Gb，盈利能力可观。另有机构预计明年上市的 12 层 HBM4 产品单价将达到 500 美元，比售价约 300 美元的 12 层 HBM3e 高出 60% 以上。

不过，随着人工智能投资从大容量数据训练转向推理， DRAM 需求增长也有望跑出加速度。根据韩国 KB 证券研究主管 Jeff Kim 预计，若当前涨势持续，明年非 HBM 内存芯片的盈利能力甚至可能将超越 HBM。

展望未来，上海证券研报表示，AI 需求旺盛推动存储需求的增长，同时由于海外原厂产能限制，2025 年第四季度存储涨价趋势预计持续，看好本轮存储大周期。也有保守声音如华邦电董事长焦佑钧指出，当前 DRAM 供需不平衡，有可能实际需求并无这么多，不过如今仍处在供不应求的状况，致使缺口产生，供给不足下导致价格狂飙。