10 月 24 日，存储芯片概念股暴动，截至收盘，普冉股份（688766.SH）、香农芯创（300475.SZ）涨 20%，恒烁股份（688416.SH）涨超 18%，江波龙（301308.SZ）涨 16.73%，华虹公司（688347.SH）、佰维存储（688525.SH）、德明利（001309.SZ）均大涨。

港股方面，华虹半导体 ( 01347.HK ) 涨 13.73%，中芯国际 ( 00981.HK ) 涨超 8%。

消息面，三星电子与 SK 海力士已在第四季度将其 DRAM 和 NAND 闪存的价格上调最高达 30%，并将新的价格体系传导至客户，这也反映出当前存储市场供需失衡的紧张状况。

其他存储产商亦有动作。根据花旗集团和摩根士丹利的预测，今年第四季度，DRAM 平均售价将上涨 25-26%，涨价热潮或进一步加剧。

近年来，AI 技术狂飙突进，数据中心基建加速，驱动上游的存储芯片需求激增。在 AI 时代，存储芯片已从配角跃升为核心瓶颈与突破口，AI 浪潮正引爆一场 " 存力 " 革命。

值得注意的是，不少大客户积极行动，与头部存储产商洽谈中长期供应合同。

此前 OpenAI 的掌门人奥特曼访问韩国期间与三星电子、SK 海力士达成战略合作伙伴关系，就 " 星际之门 " 项目每月向两家公司采购 90 万片晶圆。虽然该事件被部分人质疑为 " 画饼 "，但却极大提振了资本市场情绪，进一步推高了存储市场的涨价预期。

具体而言，本轮存储芯片涨价主要由 HBM 芯片所代表。

美光公司首席商务官苏米特 · 萨达纳曾表示，DRAM 价格上涨部分原因是供应紧张，而这一趋势很大程度上是由 HBM 需求激增推动的，因为 HBM 消耗的晶圆容量是标准 DRAM 的三倍多。

近年来，由于大模型参数规模与训练数据量的爆炸式增长，传统内存技术已成为制约算力发挥的 " 内存墙 "，而 HBM 凭借其超高带宽、低功耗和小体积特性，正成为 AI 芯片的主流选择，其需求迅猛增长，成为存储芯片赛道中的 " 香饽饽 "。

除了高端的 HBM 芯片需求强劲，传统的 DRAM 和 NAND 芯片亦供不应求。随着人工智能投资从大容量数据训练转向推理，传统存储芯片需求也有望跑出加速度。

根据韩国 KB 证券研究主管 Jeff Kim 预计，若当前涨势持续，明年非 HBM 内存芯片的盈利能力甚至可能将超越 HBM。

展望后市，不少机构看好本轮存储大周期的持续性。

摩根士丹利预测，鉴于明年存储领域可能出现供需失衡，内存芯片行业将迎来 " 超级周期 "。市场需求高企的背景下，存储芯片行业也开始出现供不应求、涨价、转变订货模式等一系列连锁反应。

另有分析人士指出，AI 服务器存储产品的涨价潮或延续至 2026 年。国内存储公司有望继续受益于 " 价格回升 + 国产替代 " 的双重驱动。叠加消费电子需求提升，国内存储芯片公司开工情况稳中向好。这或许也是近期国内存储芯片概念股轮番表现的重要原因。