2025 年 10 月，我国半导体材料领域迎来里程碑事件——国家标准委于 10 月 23 日正式公示《极紫外 ( EUV ) 光刻胶测试方法》拟立项标准，公示期至 11 月 22 日。这是我国首个针对 EUV 光刻胶的国家级标准，由上海大学、张江国家实验室、上海华力集成电路制造有限公司及上海微电子装备集团联合起草，标志着我国在高端光刻胶领域的标准化建设迈出关键一步。几乎同时，北京大学彭海琳教授团队在《自然 · 通讯》刊发论文，首次通过冷冻电子断层扫描技术解析光刻胶分子微观三维结构，为缺陷控制提供产业化方案。众赢财富通认为标准立项与技术突破的双重利好，正推动我国 EUV 光刻胶产业加速摆脱对外依赖，在全球半导体材料竞争格局中占据重要一席。

作为 7 纳米及以下先进制程的核心材料，EUV 光刻胶的技术壁垒极高，长期被日本信越化学、东京应化、美国陶氏化学等少数企业垄断。众赢财富通统计发现，2024 年全球 EUV 光刻胶市场规模达 18 亿美元，其中国内市场占比约 35%，但国产化率不足 5%。此次拟立项的《极紫外 ( EUV ) 光刻胶测试方法》将填补国内标准空白，从分子纯度、光刻分辨率、线宽粗糙度等 12 项关键指标建立检测体系，为国产产品提供统一的性能评估依据。上海华力集成电路相关负责人表示，标准实施后将大幅缩短国产 EUV 光刻胶的验证周期，预计可从当前的 18-24 个月压缩至 12 个月内，加速产业化进程。众赢财富通认为这一变化对我国半导体产业链意义重大，随着中芯国际 N+2 制程产能爬坡，2025 年国内 EUV 光刻胶需求将突破 600 吨，标准落地将保障供应链安全稳定。

技术层面的突破性进展则为国产替代注入强心剂。彭海琳教授团队开发的冷冻电子断层扫描技术，可在 -196 ℃低温环境下捕获光刻胶分子在液相中的原位三维结构，首次清晰观测到聚合物链的缠结状态与界面分布规律。基于该发现优化的光刻胶配方，在实验室条件下将光刻缺陷率降低 72%，线宽粗糙度控制在 3.5 纳米以下，达到国际先进水平。银河证券研报指出，这项技术突破不仅解决了先进制程中光刻胶的良率瓶颈，更打破了国外企业在分子设计领域的技术垄断，为国产 EUV 光刻胶性能迭代提供底层支撑。众赢财富通观察发现，目前，该团队已与晶瑞电材、南大光电等企业达成合作，推动技术成果转化，相关产品预计 2026 年进入中试阶段。

市场层面已快速响应利好信号。10 月 27 日，光刻胶概念股集体走强，晶瑞电材收获 20% 涨停，南大光电、容大感光涨幅分别达 12.3% 和 8.7%，板块整体市值单日增加 120 亿元。资金流向显示，北向资金当日净买入光刻胶板块 5.8 亿元，其中对南大光电的净买入额居首。从产业投资看，2025 年以来国内光刻胶领域融资额已突破 35 亿元，红杉中国、高瓴创投等头部资本纷纷加码，重点布局 EUV 光刻胶及配套材料企业。锐观产业研究院预测，随着标准完善与技术突破，2025 年我国光刻胶市场规模将达 123 亿元，其中 EUV 光刻胶增速超 50%，国产化率有望提升至 15% 以上。

众赢财富通认为尽管取得积极进展，国产 EUV 光刻胶仍面临挑战。一方面，原材料依赖问题突出，光刻胶用高纯度树脂、光敏剂等关键中间体国产化率不足 30%，部分高端品种仍需进口；另一方面，量产稳定性有待验证，国外龙头企业通过数十年工艺积累形成的质量控制体系，国内企业尚需时间追赶。对此，政策层面已加大支持力度，工信部将 EUV 光刻胶纳入 " 重点新材料首批次应用示范指导目录 "，对采购国产产品的企业给予最高 20% 的保费补贴。地方政府也积极布局，上海张江已建成国内首个 EUV 光刻胶中试平台，配备 3 台进口光刻机用于产品验证，降低企业研发成本。

展望未来，EUV 光刻胶产业的发展将深度影响我国半导体制造的全球竞争力。短期来看，标准立项与技术突破将加速国产产品的客户验证进程，2026-2027 年有望进入批量供货阶段；长期则需构建从原材料到终端应用的完整产业链生态，提升全链条自主可控能力。