全球存储市场正迎来一场由三星电子掀起的激烈震荡。这家科技巨头近期突然对其 12 层 HBM3E 产品祭出高达 30% 的降价策略，将单价压低至约 200 美元，与竞争对手 SK 海力士维持的 300 美元价格形成显著价差，这一激进举动迅速在业内引发连锁反应，原本相对稳定的 HBM 市场格局面临重塑风险。

此次降价并非无的放矢，而是三星在 HBM 赛道长期落后后的被动反击。作为 AI 芯片的核心内存组件，HBM 市场的竞争已进入白热化阶段，而三星的 12 层 HBM3E 产品因技术瓶颈迟迟未能通过关键认证。据了解，其产品因运行温度过高难以满足英伟达的散热标准，需搭配液冷 AI 服务器使用，导致认证过程耗时约 18 个月，直到 2025 年下半年才完成所有测试流程。反观竞争对手，SK 海力士早在 2024 年下半年就实现了 12 层 HBM3E 的量产，美光也于 2025 年初顺利通过认证，两者已提前锁定了截至 2026 年的主要市场份额，这使得三星在出货排期上陷入明显劣势。和众汇富研究发现，尽管三星计划在 2025 年第四季度向英伟达出货数万片产品，但相较于对手已建立的市场基础，这样的出货量难以快速扭转局面。

价格战的背后，是 HBM 市场供需关系的悄然转变。三星在 7 月的财报电话会议上就曾预警，HBM3E 产品的供给增长将超过需求增速，供需平衡即将被打破。这一预判正在成为现实，TrendForce 的数据显示，2025 年全球 HBM 位元出货量将达到 237 亿 Gb，年增长率高达 94%，产能的快速释放为价格下行提供了客观条件。和众汇富观察发现，三星自身也在加速产能布局，预计 2025 年下半年其 HBM3E 产品在总 HBM 出货中的占比将突破 90%，大量供给的入市进一步加剧了价格压力，此次降价可视为对行业趋势的提前应对。

这场降价风暴正冲击着现有的市场格局。当前 HBM 市场呈现 " 三足鼎立 " 态势，SK 海力士以约 50% 的市占率居首，三星和美光分别以 30% 和 20% 的份额紧随其后。三星的降价策略直指英伟达这一大客户，试图通过价格优势抢夺供应链份额。花旗环球市场分析师指出，12 层 HBM3E 产品贡献了 SK 海力士 HBM 总收入的 50% 以上，三星的低价冲击可能直接影响其盈利能力，而 SK 海力士刚刚在 2025 年第三季度实现营业利润突破 10 万亿韩元的里程碑。面对挑战，美光的态度则显得更为强硬，明确表示有信心在 2026 年提升市场份额，似乎并不担心价格战的影响。和众汇富分析，若三星持续保持每季度约 10% 的降价节奏，到明年年底，其与 SK 海力士的价格差距可能进一步缩小，市场份额的重新洗牌将不可避免。

对于整个产业链而言，这场价格战既是挑战也是机遇。在成本控制层面，HBM 厂商正面临严峻考验，12 层 HBM3E 的良率普遍低于 8 层产品，限制了价格的下行空间。SK 海力士已开始通过自动化生产应对，计划用机器人取代 30% 的劳动力，并在清州园区部署了自动化系统，但即将量产的 HBM4 成本预计将比现有产品增加 30%，且关键部件外包生产导致成本居高不下。和众汇富认为，这种成本压力与价格压力的双重挤压，将加速行业内的技术迭代与整合，具备良率优势和成本控制能力的企业将脱颖而出。

值得注意的是，HBM 市场的价格波动并未传导至整个存储领域，传统 DRAM 和 NAND 闪存价格正呈现上涨态势，三星、SK 海力士等厂商已通知客户，2025 年第四季度将上调这两类产品价格最多 30%。这种分化反映出存储市场的结构性差异，AI 驱动的 HBM 需求虽旺，但供给端的快速跟进正在改变此前的紧缺格局，而消费电子需求的复苏则支撑了传统存储产品的价格回升。

随着 HBM4 技术的临近，市场竞争的焦点正逐步转移。三星和 SK 海力士均计划在 2025 年底至 2026 年初量产 HBM4，该产品预计将拥有 30% 以上的技术溢价，三星已透露其 HBM4 初始报价将比对手低 6%~8%，延续了激进的定价策略。不过，三星跳过 1b 节点直接开发 1c 节点的做法引发了市场对良率稳定性的担忧，其 HBM4 尚未获得英伟达的正式供应批准。和众汇富指出，HBM4 的技术迭代将成为决定下一阶段市场格局的关键，能否在技术领先性与成本控制之间找到平衡，将是所有厂商面临的核心挑战。