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近期，存储赛道热度席卷全球。

在《存储芯片 " 超级周期 "，真的来了？》一文中，笔者对存储市场周期进行了分析预判，" 超级周期 "、" 前所未有的新繁荣 " 等行业论述持续升温。

近日，三星电子、SK 海力士、西部数据等全球存储芯片巨头相继发布最新季度财报，业绩全面超过预期，赚得盆满钵满。

这一亮眼表现不仅标志着存储芯片企业从去年的行业低谷中强势复苏，或许进一步印证了市场关于存储芯片进入新一轮 " 超级周期 " 的论调。

存储巨头财报解析：

营收利润双爆发，正式迈入上升周期

三星电子：

存储业务强势反弹，利润达近三年最高

2025 年第三季度，三星电子交出超预期成绩单：营收达 86.1 万亿韩元，同比增长 9%，环比增长 15%；营业利润飙升至 12.2 万亿韩元，同比增长 32.6%，环比激增 159.6%，创下近三年来最高水平。

其中，存储业务成为绝对增长引擎。

从业务结构来看，设备解决方案（DS）部门营收 33.1 万亿韩元，环比增长 19%，其中 Memory 业务营收 26.7 万亿韩元，环比增长 26%，同比增长 20%，占集团总营收的 31%，成为本季度拉动业绩的 " 发动机 "。

这一增长主要得益于 AI 服务器和高性能计算市场的旺盛需求，生成式 AI 与大模型训练对内存带宽和容量的高要求，推动 HBM 与 DDR5 成为核心增量来源。

三星在 HBM 领域的布局也取得重要进展。据悉，三星 128GB DDR5、24Gb GDDR7 等高端产品已进入量产阶段，HBM3E 实现规模化出货，单季度比特销量环比增长 80%。更值得关注的是，HBM4 样品已交付所有目标客户，其低功耗下 11Gbps 的传输性能正吸引英伟达等 AI 巨头调整原定计划并提出更高性能要求，计划 2026 年正式量产。

另一方面，三星的产能与技术布局同步升级。

据财报会披露，三星计划 2025 年投入 47.4 万亿韩元用于设施建设，其中 86% 的预算投向半导体部门，重点扩建 1c DRAM 产线满足 HBM4 需求、推进 24GB GDDR7 量产及高密度 QLC 固态硬盘开发。

在先进制程方面，2 纳米 GAA 工艺正推进量产准备，计划 2026 年在美国泰勒工厂正式投产，尽管目前试产良率约 30%，但通过优化制程与扩大 4 纳米成熟节点产能，力求平衡技术领先性与商业化可行性。

在技术创新方面，三星正在加速押注 DRAM 领域，从 ASML 购入 5 台全新 High-NA EUV 光刻机，其中 2 台将部署在三星半导体代工事业部，其余设备则专供存储事业部。这标志着三星在先进存储技术方面的投入进入新阶段。

与此同时，三星与英伟达展开深度合作，共建全球首个 AI 半导体工厂，部署超过 5 万块 NVIDIA GPU 提供算力，通过数字孪生与 GPU 加速光刻技术提升生产效率。同时，" 芯片 - 终端 - 显示 - 车载 " 四大业务形成闭环，DS 部门的 AI 存储产能扩张与 DX 部门的 AI 终端普及相互反哺，推动集团整体盈利能力持续改善。

从财务表现来看，三星的盈利能力显著改善。存储业务的营业利润达到 7 万亿韩元，占集团整体利润的过半，这主要得益于产品价格上涨以及库存价值调整等一次性成本显著降低。公司预测，2026 年对存储器需求将比往年更强劲、更快，主要客户订单量已超过自身供应能力。

SK 海力士：

HBM 领跑行业，利润刷新记录

SK 海力士在本轮浪潮中表现尤为抢眼。

2025 财年第三季度，SK 海力士业绩创下历史峰值：营业收入 24.45 万亿韩元，同比增长 39%，环比增长 10%；营业利润 11.38 万亿韩元，同比增长 62%，环比增长 24%；净利润 12.6 万亿韩元，同比激增 119%，净利率高达 52%，营业利润率 47% 刷新纪录。

这一创纪录表现的关键在于两点：DRAM 和 NAND 价格同步回升，以及 AI 服务器用高性能存储芯片的需求全面提升。

具体来看，SK 海力士存储业务结构持续优化。DRAM 作为核心收入来源，占比达 78%，营收 19.07 万亿韩元，bit 出货量环比增长 7%-9%，平均销售单价（ASP）环比上升 4%-6%；NAND 业务营收 4.89 万亿韩元，占比 20%，尽管 bit 出货量环比下降 4%-6%，但受 AI 服务器端 eSSD 高附加值需求拉动，ASP 大涨 10%-15%。

另一方面，AI 服务器与高端移动设备的需求推动高容量 DDR5 与 LPDDR5 出货量持续攀升，128GB 以上 DDR5 内存出货量环比翻倍，12 层 HBM3E 销量持续攀升，HBM 业务在 DRAM 总销售额中占比高达 40%。

更值得关注的是，SK 海力士已与主要客户就明年的 HBM 供应达成协议。SK 海力士表示，目前已完成 2026 年 HBM 供应谈判，HBM4 于 9 月完成开发并启动量产，已为满足客户所有性能要求及实现业界最高速度做好准备，第四季度正式出货。

基于此，SK 海力士在 HBM 领域的议价能力显著提升。据报道，SK 海力士已与英伟达就明年 HBM4 的供应完成价格和数量谈判，HBM4 单价确认约为 560 美元，比目前供应的 HBM3E 价格高出 50% 以上。这一涨价幅度充分反映了 HBM 产品的稀缺性和 SK 海力士在技术上的领先地位。

据了解，SK 海力士在全球 HBM 市场占据 58% 的份额，且已锁定 2026 年所有 DRAM、NAND 及 HBM 产能，部分客户甚至提前预购传统存储芯片，显示出极强的市场议价能力。

从存储供应商到 " 全栈 AI 存储创造者 "

值得关注的是，SK 海力士还提出了 " 全栈 AI 存储创造者 " 的愿景，计划通过 AI-DRAM、AI-NAND 和定制 HBM 重塑未来存储技术体系。目前，SK 海力士公司正在从提供标准化存储器件向参与 AI 计算架构的协同设计转型，这种战略定位将进一步巩固其在 AI 存储市场的领导地位。

据芝能智芯报道，在产品路线方面，SK 海力士提出两个阶段的技术演进方向：

2026 至 2028 年，将推出 16 层堆叠 HBM4 与 HBM4E，并同步量产 LPDDR6、PCIe Gen6 SSD 与 UFS 5.0 等标准产品。三大 AI 存储系列将全面布局：AI-DRAM、AI-NAND 与定制 HBM，针对不同 AI 负载提供低功耗、超容量与跨领域的三种方案，同时通过芯片内嵌 GPU/ASIC 功能，实现存储与计算的物理融合，缩短数据路径、降低能耗。

2029 至 2031 年，SK 海力士计划进一步升级至 HBM5/HBM5E 与 3D DRAM 技术，并推出 400+ 层堆叠 NAND、PCIe Gen7 SSD 及 UFS 6.0 标准，以支撑 PB 级 AI 数据集的实时处理与存储需求。

此外，在技术与产能方面，SK 海力士加速推进 1c nm DRAM 工艺量产，2026 年将实现服务器、移动端、图形处理等全产品线覆盖，预计年底 1c nm 制程将占据韩国境内传统 DRAM 产能的一半以上；NAND 业务重点扩大 321 层 TLC、QLC 产品供应，预计 2026 年底 321 层产品占比将超 NAND 位元产量的 50%。

产能扩张方面，SK 海力士启动两大战略基地：清州 M15X 工厂和龙仁半导体产业群，M15X 已在 2025 年第四季度投入运营，主要负责先进 DRAM 与 HBM4 生产，以应对超出预期的客户需求；龙仁基地预计 2027 年投产，包含四座大型晶圆厂，总建筑面积提升至原计划的 490%，产能相当于 24 个 M15X，将成为全球最大 AI 存储生产集群，专为未来十年 AI 服务器与数据中心的爆发性需求而建。

SK 海力士的目标是在数量和质量两方面都超越竞争对手，并确保 AI 存储供应不再出现短缺。

西部数据：

云存储需求爆发，技术迭代巩固份额

除了韩系存储巨头外，西部数据也交出了亮眼的成绩单。西部数据 2026 财年第一季度营收达 28.2 亿美元，同比增长 27%，环比增长 8%；营业利润率 30.4%，毛利率提升至 43.9%，同比扩大 6.6 个百分点。业绩实现跨越式增长。

云业务成为西部数据绝对增长支柱。财报数据显示，云服务业务营收 25.1 亿美元，同比增长 31%，占总营收比重达 89%。

西部数据首席执行官 Irving Tan 表示：" 在云数据存储需求增长推动的强劲市场环境下，西部数据持续保持良好运营。公司近 90% 的销售额来自云存储客户，反映了在 AI 应用驱动下，市场对可扩展数据存储的不断增长需求。"

核心驱动力来自超大规模云服务商对高容量近线存储产品的需求强劲，32TB UltraSMR、26TB CMR 等 ePMR 产品出货量突破 220 万台，近线存储容量出货达 183 艾字节，同比增长 30%。

更值得关注的是西部数据的订单能见度。前七大客户均提交了 2026 年上半年采购订单，其中 5 家覆盖全年需求，最大的超大规模客户更是签订了覆盖 2027 年全年的长期协议。这种长期化的订单不仅保障了产能利用率，更降低了库存波动风险，为盈利稳定性奠定基础。

在技术研发进展方面，西部数据持续突破。其下一代 36TB ePMR 硬盘认证提前 3 个月完成，计划 2026 年下半年量产，单盘毛利率预计达 47%；HAMR（热辅助磁记录）技术推进超预期，2026 年上半年将启动首家超大规模客户认证，2027 年实现 50TB 型号量产，单盘存储成本较 36TB 下降 20%；西部数据开设 AI 测试实验室，通过人工智能优化固件现代化和工程流程，提升运营效率。

不难预见，这些技术的突破将进一步巩固西部数据在高容量存储市场的领导地位。

此外，西部数据还聚焦产能策略的效率提升，明确表示不新增单位产能，而是通过自动化升级与 AI 优化，将泰国、马来西亚基地的产能利用率提升至 90%，既规避产能过剩风险，又通过产品结构优化实现成本控制。预计 2026 财年第二季度营收将达 29 亿美元，同比增长 20%，毛利率维持在 44%-45% 区间。

美光科技：

2026 年，全球存储芯片供需失衡将加剧

美光科技的表现同样不俗。2025 财年，美光科技营收创下 373.8 亿美元的历史纪录，同比增长 48.8%，两年累计增长 141%；第四季度营收 113.2 亿美元，环比增长 21.7%，同比激增 46%。盈利能力大幅提升，毛利率从 2024 财年的 23.7% 跃升至 40.9%，营业利润率达 29.0%，第四季度毛利率进一步攀升至 44.7%，营业利润率 32.3%。

凭借 AI 数据中心需求的强劲推动，美光科技的营收与利润双双创下历史新高。

数据中心业务成为美光最大的增长亮点，2025 财年美光数据中心业务占总营收的 56%，HBM、高容量 DIMM、服务器 LP DRAM 产品合计收入 100 亿美元，较上一财年增长超五倍；仅第四季度 HBM 收入就接近 20 亿美元，年化营收达 80 亿美元。DRAM 业务营收 90 亿美元，占总营收 79%，ASP 环比提升 11%，出货量环比增长 14%；NAND 业务营收 23 亿美元，占比 20%，均价环比增长 9%，数据中心固态硬盘业务市场份额创下纪录。

在技术布局上，美光科技率先量产 1 γ 节点 DRAM，这是美光首次采用 EUV 光刻技术的工艺。HBM3E 功耗较竞品低 30%，容量高 50%，带宽达 2TB/s 以上；232 层 3D NAND 容量提升 3 倍，G9 技术支持 AI 向量搜索，延迟降低、能量传输效率提升 80%；PCIe Gen6 SSD 首发，支持 E1.S 形式因子，适用于超大规模数据中心。同时，美光正评估跳过 1e 工艺直接过渡到 9nm DRAM 的技术路线，力求在先进制程竞争中抢占先机。

作为唯一美国本土内存制造商，美光受益于地缘政治多元化布局，新加坡封装厂持续扩产，与 NVIDIA、AMD 等巨头深度合作，HBM3E 2025 年产能已全部订满。

美光科技首席商务官 Sumit Sadana 抛出了一颗 " 深水炸弹 "：2026 年 DRAM 供应可能比现在还要紧张。他指出，AI 应用对 HBM 的需求大幅上升，而 HBM 生产消耗的晶圆量约为标准 DRAM 的三倍，这导致全球存储芯片供需失衡将进一步加剧。

对此，美光的产能规划聚焦高端需求。预计 2026 财年资本支出达 131 亿美元，重点扩大 HBM 与高容量存储产品产能，计划逐步停止 DDR4 生产，优先保障 AI 相关产品供应。

行业结构性信号释放：

涨价、长单、产能倾斜三重共振

产品涨价成常态，供需失衡持续加剧

综合存储巨头财报和行业动态来看，存储产品价格进入强劲上行通道。

DRAM 价格涨幅尤为显著，DDR5 16Gb 颗粒报价在一个月内暴涨至 15.5 美元，PC 通用 DRAM 固定交易价格从 1 月的 1.35 美元上涨至 9 月的 6.30 美元，涨幅达 367%，占 PC 生产成本的 7%，远超 4% 的历史平均水平。

HBM 作为 AI 核心组件，价格涨幅更为突出，SK 海力士 HBM4 单价达 560 美元，较 HBM3E 上涨 50% 以上，即便英伟达初期抗拒，最终仍接受定价，彰显头部厂商的议价权。

其背后，供需失衡成为涨价核心逻辑。AI 领域每月对内存的需求达数十万片晶圆，推动 HBM、DDR5 等高性能产品供不应求，三星已停止 DDR5 DRAM 合同报价，SK 海力士部分 DDR5 产品实现 " 零库存 " 销售。

瑞银对此分析指出，内存行业正面临潜在的严重短缺，AI 引发的 HBM 强劲需求、传统服务器更新换代、AI 与 HDD 短缺带来的 eSSD 额外需求，以及晶圆产能优先投向 HBM 等诸多驱动因素导致传统产品供应约束。

《存储芯片 " 超级周期 "，真的来了？》中提到，价格飙升的背后，是全球存储巨头的产能战略性倾斜。

三星、SK 海力士、美光三大寡头摒弃了过去 " 规模优先 " 的策略，转向 " 利润优先 "，将先进制程产能集中投向高附加值产品。DRAM 领域，三星率先停止 DDR4 生产，SK 海力士计划将 DDR4 产能压缩至 20%，美光与 SK 海力士年底便停止接收 LPDDR4X 新订单，所有资源向 DDR5 与 HBM 倾斜；NAND 市场，厂商纷纷缩减消费级产能，将产能转向企业级 3D QLC 产品。

这种结构性倾斜导致了市场 " 冰火两重天 "：高端 HBM 与 DDR5 供不应求，中低端 DDR4 因减产速度超过需求下降速度，出现严重供需错配。

产能倾斜与需求倒逼共同推动了存储技术的加速突破，成为行业变革的核心动力。其中，HBM 领域的技术迭代最为迅猛，据了解，2025 年全球 HBM 总产能已增至 54 万片，同比激增 105%，但仍难以填补 AI 带来的需求缺口。SK 海力士已建成 HBM4 量产体系，预计将占据 HBM4 市场 60% 以上份额，三星、美光等厂商也在加紧筹备 HBM4 量产，力争抢占英伟达、AMD 认证先机，而国内相关厂商也在加速突破，国产替代窗口期持续扩大。

总的来看，这场由 AI 引发的产业新变革，彻底打破了存储行业传统的 " 供需博弈 " 周期逻辑，形成了 AI 需求牵引 - 产能高端倾斜 - 技术迭代加速 - 价格结构性上涨的新闭环。从 HBM 的一芯难求到 NAND 的从白菜价到紧俏货，从巨头的产能重构到国产厂商的突围，存储芯片市场正经历着新一轮的深度重塑，将存储芯片从标准化大宗商品，重塑为影响算力发展的战略性资源，标志着产业已进入一个由技术迭代与需求爆发共同定义的全新时代。

大客户签约锁定长期需求

存储巨头与 AI 龙头的合作持续升级。

SK 海力士与英伟达完成 HBM4 供应谈判，锁定明年核心订单；三星通过英伟达先进 HBM 芯片认证，第四季度起正式供应 HBM3E，双方共建的 AI 工厂将进一步强化合作。同时，三星与 SK 海力士均与 OpenAI 签署协议，参与价值 5000 亿美元的 Stargate 数据中心项目，在为 OpenAI 的 ChatGPT 建设 20 个专注于 AI 的数据中心目标指引下，每月需联合供应 90 万片 DRAM 晶圆（主要用于 HBM），推动 HBM 产能加速扩张。

能看到，长期协议正在成为行业新趋势。西部数据前七大客户订单覆盖 2026-2027 年，美光与超大规模客户签订长期供应协议，SK 海力士 2026 年全系列存储芯片产能已全部售罄。这种 " 先下单、后生产 " 的模式，既提升了市场可预测性与业务稳定性，也使得存储厂商与 AI、云巨头形成深度绑定，行业壁垒持续抬高。

技术升级与产能扩张

各大厂商都在加速技术升级和产能扩张。三星电子计划 2025 年投资 47.4 万亿韩元进行产能升级，其中半导体部门独占 86% 预算。SK 海力士提前启用 M15X 工厂洁净室并启动设备安装以新增产能，2026 年资本支出预计高于 2025 年。美光科技预计 2026 财年资本支出将达到 131 亿美元。

在技术方面，High NA EUV 光刻技术成为新的竞争焦点。三星电子和 SK 海力士都已引进 High NA EUV 光刻机，用于下一代存储产品的研发和量产。这标志着存储行业正在进入一个新的技术竞争阶段。

ASML 的最新财报也从侧面证实了存储市场的旺盛需求。第三季度 ASML 的新订单额达到了 54 亿欧元，高于市场预期，其中存储类新订单占比从 16% 提升至 47%。这表明存储行业对先进制造设备的强劲需求，技术迭代进入加速期，而存储厂商正在加大资本开支力度，为下一轮技术竞争做准备。

在产品技术方面，HBM4 成为各大厂商竞争的焦点。SK 海力士率先向英伟达交付全球首个 HBM4 12 层堆栈样品，并已获得积极评价。三星也计划亮相其第六代 12 层 HBM4 产品。HBM4 拥有 2048 个数据传输通道，是 HBM3E 的两倍，将带来带宽和容量的巨大提升。

同时，传统 DRAM 技术也在快速演进。SK 海力士正在加速转换至已实现稳定量产的最先进 1cnm（第六代 10nm 级别）工艺，这将有助于推出存储位元更密集、读写速度更快、功耗更低的 DDR5 内存以及更高容量的 HBM 堆栈。

综合来看，存储巨头正通过技术迭代、产能锁定与生态绑定，进一步挤压中小厂商生存空间。三星、SK 海力士、美光、西部数据等头部企业占据全球存储市场绝大部分份额，且在 AI 存储等高附加值领域的优势持续扩大，行业 " 马太效应 " 日益显著。

存储行业：走向结构性繁荣新时代

从存储巨头的财报表现与行业动态来看，可以清晰地看到存储市场正在经历一场由 AI 驱动的结构性变革，这一周期并非传统意义上的周期性复苏，而是由技术革新与需求重构引发的结构性增长。

结合存储行业与企业动态分析，这场变革或将呈现出以下特点和趋势：

需求结构发生根本性变化：AI 应用对高带宽内存的需求呈现爆发式增长，HBM 成为新的增长引擎。同时，AI 服务器对传统 DRAM 和 NAND 的需求也在快速增长。

供需关系出现结构性失衡：HBM 生产消耗大量晶圆产能，导致传统存储产品供应紧张。这种供需失衡可能持续较长时间，预计 2026 年全球 DRAM bit 需求增长超 20%，NAND bit 需求增长 17%-19%，供需缺口将持续支撑产品价格与厂商盈利能力。

技术竞争进入新阶段：High NA EUV 等新技术的应用，以及 HBM4 等下一代产品的开发，将成为厂商竞争的关键。这些关键能力将进一步分化行业格局。

行业集中度进一步提升：存储行业长期受供需周期波动影响，但 AI 带来的刚性需求与技术升级，使得头部厂商摆脱传统周期束缚，形成 " 技术迭代 - 需求增长 - 盈利提升 " 的正向循环。三星、SK 海力士、美光等企业通过绑定 AI 与云巨头，实现收入与利润的持续增长，行业成长逻辑日益清晰。

对于产业链参与者而言，把握 AI 存储（HBM）、高容量 DRAM/NAND、先进制造工艺三大主线，将成为抢占市场红利的关键。

未来，存储行业不仅是数据存储的载体，更将成为 AI 算力生态的核心组成部分，技术创新与生态协同将持续推动行业走向新的繁荣。

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