快科技 11 月 19 日消息，据媒体报道，三星正加速提升 1cnm DRAM 的产能，以抢占 HBM4 市场的先机。按照规划，其目标是在 2026 年第二季度将月产能提升至 14 万片晶圆，并于第四季度进一步增至每月 20 万片晶圆。这些节点对应设备设置阶段，目标是在每个阶段实现批量生产准备。

目前，三星的 DRAM 总产能约为每月 65 万至 70 万片晶圆。这意味着最新的 1cnm DRAM 产能将在短时间内达到总产能的约 30%，其增产速度已超过 2022 年半导体热潮期间月增 13 万片晶圆的扩张规模。

为实现这一目标，三星一方面通过对现有 DRAM 生产线进行技术改造实现过渡，另一方面则依托位于平泽的 P4 工厂进行新增投资。

这一积极扩产举措，反映出三星对 1cnm DRAM 技术与市场需求的高度信心。在人工智能驱动的强劲需求下，近期 DRAM 市场已出现供不应求的局面。

面对同样机遇，竞争对手 SK 海力士也计划于 2025 年内启动 1cnm DRAM 的量产，并于 2026 年全面投产。预计到 2026 年底，其韩国国内通用 DRAM 产量中将有超过一半来自 1cnm 工艺，并形成包括 LPDDR 与 GDDR 在内的完整 1cnm 产品阵容。