年初以来，存储芯片缺货、涨价消息不断！摩根士丹利研报数据显示，2025 年四季度，DRAM 报价已飙升近 70%，NAND 合约价也上涨 20-30%。

据戴尔、惠普等科技公司报告，由于 AI 基础设施建设的强劲需求，明年可能面临存储芯片短缺。市场研究机构 Counterpoint Research 进一步预测，受核心芯片供应不足影响，预计到明年第二季度，内存价格将在当前基础上再上涨 50%。

当前，随着微软等科技巨头的动向，美股市场将目光投向了产业链中更薄弱的电力和存储环节。受此海外情绪提振，A 股存储芯片板块在业绩与利好的共振下连续上涨，走出一轮强势的戴维斯双击行情。

一、何为存储芯片

存储芯片，也称半导体存储器，作为电子设备中负责数据存储的核心部件，根据断电后数据是否保留，可分为易失性存储与非易失性存储两大类。易失性存储以动态随机存取存储器（DRAM）和静态随机存取存储器（SRAM）为主；非易失性存储则主要包括可编程只读存储器（PROM）、快闪存储器（Flash Memory）以及可擦除可编程只读存储器（EPROM/EEPROM）。

快闪存储器（Flash Memory）可继续细分为 NAND Flash 与 NOR Flash 两大类，其中NAND Flash 与 DRAM 共同构成存储芯片市场的主流。DRAM 具备读写速度快、延迟低、容量相对较小、单位成本高的特点，主要用作计算设备的运行内存，下游覆盖手机、计算机、服务器、显卡等应用，占据约 58.26% 的市场份额。NAND Flash 则具有容量大、单位成本低、读写速度相对较慢、延迟较高的特性，广泛应用于固态硬盘（SSD）、U 盘、存储卡及智能终端内置存储等领域，市场份额约为 41.68%。

存储芯片行业集中度较高，主要份额由海外巨头掌握，国内企业正在加速追赶。存储芯片行业源于美国，经历了从美国到日本、再从日本向韩国的转移历程，先发企业凭借深厚的资本和技术积累，占据了全球市场的主要份额。据 CFM 统计，在全球 NAND Flash 市场中，三星、SK 海力士、铠侠、美光与西部数据的市占率分别为 32.5%、19.5%、17.0%、12.8% 和 10.8%，CR5 达 92.7%；DRAM 领域，三星、SK 海力士、美光、南亚与华邦的份额分别为 37.0%、35.8%、21.8%、0.7% 和 0.4%，CR5 达 95.7%。而随着技术迭代与国产替代进程加快，以长江存储、合肥长鑫为代表的国内企业正不断突破，在多方面缩小与海外巨头的差距，展现出强劲的追赶势头。

二、存储芯片行业周期如何演绎？

与其他科技产业不同，存储芯片行业具有典型的强周期性特征，其本质是由技术迭代与需求波动共同引发的供需错配与再平衡：

从需求侧看，存储芯片广泛应用于手机、PC、服务器等消费电子领域，这些下游行业本身具备明显的更新周期与需求波动。一旦出现如 AI 等颠覆性技术突破，便会催生 " 吞噬式需求 "，显著改变市场格局。以 AI 服务器为例，其对 DRAM 的需求约为普通服务器的 8 倍，对 NAND Flash 的需求也达到 3 倍。

从供给侧看，存储芯片标准化程度高、产品差异化小，行业由少数几家头部厂商主导。由于各家厂商的利润周期高度趋同，其产能调整决策往往呈现一致性，进一步放大供给波动。此外，建设一座先进晶圆厂需投入巨额资本，且建设周期长达数年，导致供给难以对需求变化做出及时响应。

从 2012 年以来，存储芯片行业已经先后经历了三轮完整的周期：

第一轮周期（2012-2015 年）：周期启动主要受益于全球智能手机的快速普及与设备迭代周期。移动设备的广泛使用，催生了对 DRAM 与 NAND Flash 的旺盛需求，推动存储芯片价格步入上升通道。然而，随着主要厂商在利润驱动下纷纷投入扩产，行业产能集中释放，最终导致市场出现阶段性供过于求，价格随之回落。

第二轮周期（2016-2019 年）：此轮上行由多重因素共同推动。一方面，存储厂商将产能转向工艺更复杂的 3D NAND Flash，一定程度上挤占了传统 DRAM 的资源；另一方面，DDR4 内存的普及与手机游戏等应用对硬件性能的提升，共同拉动存储芯片价格上扬。然而，随着前期规划产能陆续释放，智能手机更换速度放缓，以及 PC 与服务器市场需求疲软，存储芯片价格再次进入下行通道。

第三轮周期（2020-2023 年）：本轮周期主要由 " 宅经济 " 推动。远程办公与在线教育等居家需求兴起，显著带动了笔记本电脑、数据中心服务器等相关设备的需求，进而推高了对存储芯片的整体采购。然而，随着后续消费电子需求转弱，以及前期扩张产能的集中释放，市场出现明显供应过剩，最终引发存储芯片价格大幅回落，周期也随之步入尾声。

三、如何看待存储芯片行业重新上行？

当前这一轮行业周期的驱动逻辑与前几轮存在本质区别，并非传统消费电子的周期性复苏，而是 AI 算力基础设施的规模化建设与 HBM（高带宽存储器）的技术革命。在此推动下，存储芯片市场呈现量价齐升态势。据 CFM 数据，2025 年第三季度全球市场规模已达 584.59 亿美元，创历史新高，其中 DRAM 与 NAND Flash 分别实现 24.7% 和 16.8% 的环比增长。

从供给侧来看，由于产品结构深度调整，行业整体供应紧张。为应对 AI 服务器对高性能存储的迫切需求，主要厂商将产能战略性倾斜至 HBM 和高端 DRAM。由于生产 HBM 需消耗数倍于标准产品的晶圆产能，传统存储芯片的供给受到显著挤占。与此同时，在经历多轮行业周期后，存储巨头在资本开支上更趋审慎，将重点聚焦于制程升级而非大规模扩产。这一策略下，主流厂商的产能利用率维持高位运行，并积极通过价格调整以修复盈利能力。此外，晶圆厂向 QLC 等先进制程转换的过渡期，也客观限制了短期产能的有效释放，进一步加剧了整体供应压力。

从需求侧来看，在消费电子复苏与 AI 技术驱动下，行业需求明显上升。在消费电子领域，手机市场表现突出：三季度传统旺季期间，国内出货量快速反弹，华为等品牌新机销售超预期，安卓阵营整体销量同比增长超过 20%；同时，存储配置持续升级，单机容量需求明显提升。PC 市场虽全球出货量同比小幅下滑，但衰退幅度已显著收窄，库存水平回归健康状态。在技术驱动方面，AI 服务器需求保持强劲增长，四季度起整体服务器市场亦显现复苏态势。这一传统需求复苏与新兴动能共振的格局，共同推动存储芯片行业步入新一轮增长周期。

展望未来，存储芯片行业的高景气度有望延续，在供需格局持续偏紧的背景下，行业整体盈利能力预计将不断改善。中长期来看，伴随 AI 算力基建的推进、智能汽车等新兴应用的持续渗透，存储芯片行业有望步入一个持续数年的 " 超级周期 "。

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本文由公众号 " 星图金融研究院 " 原创，作者为星图金融研究院研究员武泽伟。

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编辑：胡伟

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