【CNMO 科技】正如石油是现代工业体系的血液，存储芯片已成为数字时代科技生态不可或缺的基石。然而，2025 年下半年以来，全球存储芯片市场掀起了一场 " 史诗级 " 涨价潮。自 9 月起，DRAM 与 NAND Flash 的现货价格累计涨幅已超过 300%。此轮暴涨主要由人工智能领域 " 以存代算 " 技术路线的兴起所驱动——大量的大模型训练对高带宽、大容量存储芯片提出了空前需求，导致行业产能紧张、供需失衡。

受此影响，多家手机厂商高管已公开预警：自 2025 年底起，搭载大容量存储的新品将普遍提价，这一趋势预计将延续至 2026 年甚至更远。联想、戴尔等全球前五大 PC 厂商均已确认将上调产品售价，涨价幅度普遍在 10% 至 30% 之间。消费电子行业或将迎来新一轮价格调整周期。

然而，塞翁失马，焉知非福。在挑战之中亦蕴藏机遇——存储芯片价格的飙升，也在为长江存储等国产厂商创造宝贵的市场窗口。

CNMO 特此推出 "' 芯 ' 价狂飙 " 深度专题，而本篇文章，将聚焦于 " 国产存储芯片企业的机遇 "。

近年来，在多重因素推动下，中国高科技产业加速推进自主可控进程，半导体领域尤甚。作为人类科技高度凝结的产物，半导体产业中，存储芯片是其最大分支之一。当前，全球存储芯片市场面临供应短缺，叠加需求回暖，为国产企业提供了难得的发展契机。

市场格局：巨头主导，国产初露锋芒

存储芯片作为用于数据存储的核心电子元件，主要分为易失性存储（如 DRAM、SRAM）和非易失性存储（如 NAND Flash、NOR Flash）两大类。这类芯片通常通过 ASIC 或 FPGA 技术集成存储控制器与协议管理功能，广泛应用于工业控制、云计算、智能终端以及 AI 服务器等关键领域。

从市场结构看，2024 年全球存储芯片细分市场中，DRAM 占比达 58.26%；NAND Flash 紧随其后，占比为 41.68%。

而在市场份额方面，全球 DRAM 市场高度集中，三星、SK 海力士和美光三大海外厂商合计占据 93% 的份额，分别为 36.5%、35% 和 21.5%；相比之下，国内厂商长鑫存储仅占约 5%，只能算是初步形成一定竞争力。而在 NAND Flash 领域，三星同样以 33.5% 的市占率位居第一，SK 海力士以 19% 位列第二；好在，国产代表企业长江存储近年来持续取得突破，市场份额达到 5%。

整体来看，在这次存储芯片涨价潮到来之前，尽管国际巨头仍牢牢掌控市场主导权，但中国存储芯片企业已开始在全球舞台上崭露头角。

国产双雄：九年跻身全球一流

从当前市场格局可见，在 DRAM 与 NAND Flash 两大核心存储芯片领域，中国均已涌现出具有全球竞争力的本土企业。长江存储与长鑫存储虽成立时间不长，但发展速度惊人。

长江存储成立于 2016 年 7 月，总部位于武汉，是中国唯一一家专注于 3D NAND 闪存设计、制造一体化的 IDM 企业；而长鑫存储则于 2017 年 11 月在安徽合肥成立，是中国大陆目前唯一实现 DRAM 芯片大规模量产的企业。尽管起步较晚，但两家公司已迅速构建起扎实的技术储备。

在技术层面，国产存储芯片正快速缩小与国际巨头的差距。长江存储已量产的 232 层 TLC NAND 芯片采用创新的双层堆叠架构，实现等效 294 层密度，接口速率高达 3600MT/s，良率稳定在 95.2%，并已向全球客户批量出货。其下一代 300 层堆叠技术也已处于研发阶段。2025 年 11 月，长鑫存储发布了多款高端 DRAM 产品，包括速率达 8000Mbps 的 DDR5 和 10667Mbps 的 LPDDR5X，以及完整的内存模组系列，关键性能指标已全面对标三星、美光等国际一线厂商。

产能扩张方面，两家企业的步伐同样迅猛。长江存储当前月产能已接近 13 万片晶圆，约占全球 NAND 总产能的 8%，并力争到 2026 年底占据全球 15% 的市场份额。长鑫存储则预计在 2025 年底将 DRAM 月产能提升至 30 万片，增长近 50%。据 Counterpoint 预测，其今年 DDR5 市场份额将跃升至 7%，LPDDR5 份额也将从一季度的 0.5% 增至年底的 9%。尽管与三星约 70 万片 / 月的 DRAM 产能仍有较大差距，但现有产能已足以支撑国内中低端 PC、智能手机及工业控制等关键应用市场。

有业内人士透露，受益于长鑫存储等企业的快速成长，中国在全球 DRAM 市场的整体份额有望在 2025 年实现同比翻倍，达到 10%，标志着国产存储芯片正从可用迈向主流。

现实困境：良率与设备仍是 " 卡脖子 " 关卡

尽管国产存储芯片企业正迎来难得的市场窗口期，但其发展仍受制于关键设备与材料的 " 卡脖子 " 难题。

目前，关键的 EUV 设备因美国出口管制无法进入中国市场。与此同时，来自日本东京电子和美国泛林集团的刻蚀机、薄膜沉积设备也处于供应紧张状态，难以满足国内厂商快速扩产的需求。在材料方面，JSR、信越化学的高端光刻胶以及德国默克的 ALD 前驱体等核心原材料，国产化率尚不足 30%，且在纯度、一致性和稳定性上与国际先进水平仍有明显差距。

良率问题则是另一大瓶颈。当前国产 DDR5 颗粒的平均良率约为 65%，而三星等国际龙头已稳定在 85% 以上。这意味着在相同投片量下，国产厂商有近四成晶圆成本直接浪费，成本劣势显著。更高端的 HBM（高带宽内存）技术门槛更高，涉及 3D 堆叠、TSV 硅通孔、高效散热等复杂工艺，目前国内尚无量产能力，业内普遍预计 2027 年前难以打破三星、SK 海力士与美光三巨头的垄断格局。

据媒体报道，芯谋研究首席分析师顾文军曾指出，若国产厂商不能在本轮涨价周期内将良率提升至 80% 以上，并将临时客户转化为长期订单，一旦海外巨头完成新一轮扩产，过剩产能回流消费市场，国产企业恐将再度被挤压回低端领域。

行业普遍认为，2025 – 2027 年是国产存储的 " 三年战略窗口 "。若能趁此周期完成三大任务——良率突破 80%、客户订单长期化、供应链自主化，则有望在 2027 年后冲击全球前三。

写在最后

海外存储巨头的 " 芯慌 "，本质是技术路线切换与产能错配的暂时性失衡。而国产企业的真正考验，不在于能否在涨价潮中分一杯羹，而在于能否将短期价差优势转化为长期技术 + 生态壁垒。

历史经验表明，半导体行业的竞争，从来不是一场百米冲刺，而是一场跨越十年的马拉松。长江存储与长鑫存储已经跑出了第一步，但要真正站上全球舞台中央，还需在良率、设备、人才、生态上持续深耕。