在存储芯片近几年的价格反弹过程中，存储芯片晶圆代工庞大的产业链上下游获得宝贵的国产化机遇，市场地位不断提升。 

近期，长鑫科技进入 IPO 申报阶段，紫光国芯启动上市辅导，随着更多存储芯片公司进入 A 股范畴，半导体板块表现活跃。在 2026 年元旦假期过后，1 月 5 日 -7 日 A 股开市的三个交易日内，半导体指数（882121.WI）上涨 9.11%，个股中普冉股份、中微公司、南大光电、兆易创新等涨超 20%。

DRAM 存储芯片制造中的高难度工艺环节众多，对供应链上游的设备先进性和技术更新需求高，国产晶圆代工厂未来持续扩产，有望推动相关设备的国产化进程，材料端、封测端亦有望协同受益。 

多家机构观点认为，2026 年长鑫存储在 DRAM 领域的市占率将快速提升，有效承接海外原厂因聚焦 AI 高端内存而释放的通用 DRAM 产能空间，同时助力上下游芯片设计、模组厂商稳定产品供应，实现协同发展。此外，相关 A 股公司正通过定增扩产等方式，巩固自身在国产存储产业链中的地位。 

295 亿元募集资金激活产业链

DRAM 生产制造环节中所需设备和原材料品类较多，依赖大量高度专业化的设备和原材料供应商，这些供应商不仅需要满足极高的技术要求，还需保证供应的稳定性，同时下游客户对准时交付和长期稳定供应提出较高的要求。 

能否紧跟或引领技术工艺，是企业在 DRAM 领域维持市场竞争力的关键因素之一。而新建 DRAM 晶圆制造产线所需资本支出极高，单座工厂的投资规模已超过百亿美元，企业还必须持续投入大量资金用于技术研发以持续在 DRAM 领域立足。在极高的资本开支需求下，DRAM 厂商必须将产能提升至足够大的量级，才能通过规模效应实现成本的摊薄，获取经济效益。 

据长鑫科技科创板 IPO 招股书披露，截至 2025 年 6 月 30 日，公司机器设备类固定资产账面价值达 1591.51 亿元，占固定资产总额的 90.52%；其账面原值为 2030.00 亿元，成新率为 78.40%。同期，公司用于购建固定资产、无形资产及其他长期资产的现金支出为 241.15 亿元，反映出持续高强度的产能投入。 

而中芯国际 2025 年上半年末机器设备账面净值为 994.73 亿元，成新率 39.54%；2025 年前三季度资本开支约 400 亿元。考虑到中芯国际和长鑫科技在晶圆制造领域的重资产属性，长鑫科技对上游半导体设备的需求规模同样可观，已成为国产设备厂商的关键客户。 

此次长鑫科技 IPO 拟募集资金 295 亿元，其中拟使用 75 亿元用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目、130 亿元用于 DRAM 存储器技术升级项目、90 亿元用于动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目。从上述项目支出计划来看，设备购置及安装费占主要部分。

东方证券认为，DRAM 高难度工艺环节众多，对供应链上游的设备先进性和技术更新需求高，长鑫科技未来持续扩产下有望推动相关设备的国产化进程。 

2026 年 1 月，A 股半导体设备公司并购保持活跃。中微公司拟通过发行股份及支付现金的方式购买杭州众硅 64.69% 的股权。据介绍，标的公司是国内少数能够自主创新制造 12 英寸 CMP 设备的企业，其设备采用 6 抛光盘的架构设计，更好匹配先进存储和逻辑芯片制造中多场景工艺需求。 

招商证券指出，受益于国内存储原厂高稼动率及持续扩产，具备良好卡位的设备及材料厂商有望快速放量。此外，前沿 DRAM 技术有望增加对逻辑代工和封测的需求，国内存储产业有望通过工艺创新突破制程微缩瓶颈，在产业属地原则带动下，晶圆代工、封测企业有望在承接逻辑电路订单与 3D DRAM 先进封装领域迎来协同发展机遇。

例如，半导体硅片系晶圆制造的基础核心材料，成本占比约为 35%。沪硅产业 2025 年 10 月披露，其 300mm 硅片出货中，用于存储芯片的抛光片占比约 60%，且产品良率维持在较高水平；立昂微在 2025 年 12 月披露，该公司 12 英寸硅片已覆盖 14nm 以上技术节点逻辑电路和存储电路，已进入部分存储芯片客户供应链。 

涨价驱动部分公司股价翻倍

长鑫科技招股书显示，全球存储芯片市场规模为 1655 亿美元，占集成电路市场规模的比例约为 31%，其中 DRAM 市场规模为 976 亿美元，占存储芯片市场规模的比例约为 59%，NAND 市场规模占比约为 39%。 

目前，服务器、移动设备、个人电脑和智能汽车构成 DRAM 主要应用领域。当前 DRAM 市场主要产品类别为 DDR，处于 DDR4 向 DDR5 更迭阶段，2024 年 DDR5 和 LPDDR5 产品分别在 DDR 和 LPDDR 市场的占有率超过 50%。 

三星电子、SK 海力士和美光科技三家企业合计占全球 DRAM 市场 90% 以上的市场份额。按 2025 年第二季度 DRAM 销售额统计，长鑫科技的全球市场份额已增至 3.97%。TrendForce 预计，2025 年底长鑫科技全资子公司长鑫存储在 DRAM 领域市占率为 10%-12%。 

据了解，DRAM 行业受市场供需波动影响较大，具有显著的周期性特征。厂商基于下游需求变化做出产能调控策略，但新建产线的产能爬坡通常需要多个季度，新建晶圆厂从资本开支到产能释放更是需要长达数年，导致市场供给与需求存在错配。 

同时，由于 DRAM 市场供给端高度集中，头部厂商占有绝大部分市场份额，各家资本开支较为集中，新增或缩减产能决策往往同步释放，使得 DRAM 行业较其他半导体产品呈现出更加显著的强周期性特征。 

最近一轮周期于 2023 年第三季度触底，产品价格较 2021 年高点下跌 60%-70%，海外原厂不得不减产以减少亏损，而 2025 年是存储芯片价格强势反弹的一年，价格逐季走高，到年底较 2023 年低位涨了几倍。 

受涨价行情推动，A 股存储芯片模组厂股价创历史新高。其中江波龙和佰维存储 2025 年内股价最大涨幅均翻倍，上市以来截至 2025 年末的最大涨幅分别达 4.14 倍和 6.65 倍。 

而目前国际领先 DRAM 企业已进入制程节点微缩瓶颈，新产品开发中面临的成本巨幅增长与物理极限的逼近问题导致工艺难度大幅提升，DRAM 厂商积极尝试新的技术解决方案。长鑫科技服务器领域 64GB 以上 DDR5 已量产，移动设备及其他消费电子领域 LPDDR5/5X 已量产，个人电脑领域 16GB 以上 DDR5 处于开发中。 

在新技术领域的研发上，国内厂商与国际前三家厂商均处于探索阶段。长鑫科技招股书认为，国内厂商有望抓住产业革新机会迎来快速发展机遇，克服在追赶国际领先水平上面临的竞争挑战，聚焦于技术攻坚，通过产品与技术的革新逐步缩小与国际领先水平的差距，甚至实现部分技术与产品的弯道超车。 

专用存储芯片稳步增长

据了解，长鑫科技和兆易创新之间存在多重关联，主要体现在股权、业务协同和管理层面。比如，两家公司的董事长是同一人。2025 年 12 月，兆易创新申请在港交所 H 股上市。 

兆易创新采用 Fabless（无晶圆厂）生产模式，成立之初主要产品为 NOR Flash，通过内生发展与对外收购，产品结构向多元化发展，逐步形成存储、控制、传感和模拟四大业务布局。 

Fabless 公司必须展现出强大的产品设计能力、严格的质量控制以及快速迭代的能力，方能立足于市场。鉴于工业、汽车及其他特定领域的专用型存储对产品性能和可靠性标准要求严苛，Fabless 公司通常需要维持多样化的产品组合。 

兆易创新在专用型存储领域布局较早，现已形成 NOR、DRAM、NAND 三大芯片产品线。其中，利基型 DRAM 产品具备低功耗、体积小的特点，主要应用于机顶盒、电视、网络通讯、智慧家庭装置、智能穿戴、信息娱乐系统等多种领域。 

主流存储器高度标准化且以价格为驱动，而专用型存储器需要在特定应用中具备更高的定制化程度和可靠性，通常不存在能够满足所有客户需求或保证于专用型存储器市场取得成功的单一解决方案或技术。 

东芯股份自主研发的 LPDDR1/2/4X 系列产品适用于智能终端、可穿戴设备等产品，NAND MCP 产品集成了自主研发的低功耗 1.8v SLC NAND Flash 闪存芯片与低功耗设计的 DRAM，应用于功能手机、MIFI、通讯模块等产品。 

据预测，专用存储市场规模将以 7.1% 的复合年增长率持续扩张，预计 2029 年将达 208 亿美元。驱动因素为数据总量增长，以及端侧 AI 和汽车电子等领域对低功耗、高可靠性和存储解决方案的需求增长。 

兆易创新预计，2025 年利基型 DRAM 业务营收有望超过年初计划的同比增长 50% 的目标，并有望超越 MCU 业务成为该公司第二大产品线。2026 年将实现自研 LPDDR4 系列产品的量产，并着手规划 LPDDR5 小容量产品的研发，目标是在汽车座舱、AIPC、机器人等领域实现芯片量产。 

该公司 2025 年量产的 DDR4 8Gb 较快抢占份额，进入第三季度销量已经与 DDR4 4Gb 基本相当。在新产品上，该公司 LPDDR4 预计在 2026 年上半年推出产品，并在下半年实现量产，同时，基于新产线的 DDR4 产品预计下半年推出样品。 

价格方面，兆易创新表示，存储芯片不同的产品线存在差异，预期 2026 年利基型 DRAM 整体仍处于供应相对偏紧的状态，但是价格是否继续上行还有待观察。 

2025 年第三季度随着价格持续上行及成本上涨的滞后效应，该公司 DRAM 业务毛利率提升。第四季度成本上涨会逐渐传导到经营端，但 DRAM 业务毛利率可以维持健康水平。预期 2026 年利基 DRAM 营收在 2025 年基础上保持高两位数的增长比例。

下游模组厂顺势扩张

AI 训练和推理使得 AI 服务器的内存需求急剧扩大，单台 AI 服务器的 DRAM 用量是传统服务器的约 8 倍。据预测，2024-2029 年，全球服务器搭载的 DRAM 数据量年复合增长率约为 24.93%。 

海量的新增数据需要配套的存储硬件，同时 AI 等新技术对存储模组的低延迟、可扩展性、安全性和可靠性等提出了更高的要求，推动存储技术和存储市场规模的不断发展。受益于数据中心的 DDR5 及 HBM 等高价值内存产品的强劲需求以及价格上涨，研究机构预计 2026 年 DRAM 市场规模将增长至 2692 亿美元，增长率 69%。 

海外存储芯片原厂为应对 AI 对高端存储器的产能需求，限制了其他市场的供应。2025 年 12 月，三星表示不会推迟 DDR4 的停产计划，导致 DDR4 价格涨幅显著超过 DDR5。

国产存储晶圆实现技术突破与产能提升，下游内存产品公司通过批量出货与采购降低行业产能波动的影响，近期纷纷筹划扩大产能规模，把握行业增长机遇。 

2025 年 12 月，德明利拟向特定对象发行股票募集资金总额不超过 32 亿元，其中拟投入内存产品（DRAM）扩产项目 6.64 亿元，达产后平均每年新增 690 万条内存条产品。该公司目前多数内存产品已成功进入客户供应链并实现稳定批量出货。 

江波龙拟向特定对象发行股票募集资金总额不超过 37 亿元，其中 8.8 亿元拟用于面向 AI 领域的高端存储器研发及产业化项目。2025 年上半年，该公司企业级存储业务收入达 6.93 亿元，同比增长 138.66%。 

佰维存储面向 AI 眼镜、智能手表等可穿戴设备对空间高度敏感的特点，推出了高度集成的 ePOP 系列产品，将 DRAM 与 NAND Flash 垂直堆叠在同一封装内。该公司 2025 年定增募资 19 亿元，用于先进封测及存储器制造基地扩产、晶圆级先进封测制造项目。 

从终端需求来看，为解决高速运算的 " 内存墙 " 瓶颈，企业级内存条容量持续提升，通用服务器市场对高容量 DDR5 内存的需求强劲，96GB 及以上规格产品供不应求；端侧消费类 DRAM 需求同样受益于 AI 驱动，AI PC、AI 智能手机不断出新，推动端侧 DIMM 内存条、LPDDR 嵌入式存储扩容增需。 

端侧 AI 设备将原本依赖云端的大模型算力迁移到终端，以实现本地算力、实时响应与隐私保护的统一，传统设备因此转变为能够自主决策的智能系统，扩展了 AI 的应用范围，加速 AI 在消费电子、工业自动化、储能及电池管理、汽车、具身机器人等核心产业中的应用。 

国金证券预测 2026 年一季度，存储合约价格预计继续攀升，涨幅将达到 30%－40%。从需求端来看，云计算大厂资本支出陆续启动，对应企业级存储需求开始增多，同时消费电子终端补库需求也在加强，持续看好企业级存储需求及利基型 DRAM 国产替代。 

（本文已刊发于 1 月 10 日出版的《证券市场周刊》。文中提及个股仅为举例分析，不作投资建议。）