【CNMO 科技消息】2 月 9 日，全球市场研究公司 Counterpoint 发布的《2 月内存价格追踪报告》显示，截至 2026 年第一季度，内存价格较 2025 年第四季度环比暴涨 80%-90%，DRAM、NAND 及 HBM 全品类价格均创下历史新高，市场呈现全品类、全板块全面加速上涨的态势。

据 CNMO 了解，本轮内存价格大幅攀升的主要推手是通用服务器 DRAM 价格的暴涨，此前在 2025 年第四季度表现平稳的 NAND 闪存，在 2026 年第一季度也同步迎来 80%-90% 的涨幅，叠加部分 HBM3e 产品价格走高，进一步推高了整体市场价格。其中服务器级内存价格涨幅尤为显著，64GB RDIMM 合约价从 2025 年第四季度的 450 美元飙升至 2026 年第一季度的 900 美元以上，且预计第二季度有望突破 1000 美元关口。

面对持续走高的内存成本，下游原始设备制造商（OEM）纷纷调整策略，通过减少单款设备的内存配置缓解成本压力，同时优先推出搭载 LPDDR5 的高端产品线，该领域的价格压力相对可控。智能手机厂商也采取了降配措施，削减设备 DRAM 容量，或采用性价比更高的 QLC 方案替代 TLC 固态硬盘。市场订单结构也随之变化，供应紧张的 LPDDR4 订单明显下滑，LPDDR5 订单则随入门级芯片推出持续增长。

该机构指出，对设备厂商而言，零部件成本上涨叠加消费者购买力减弱，构成了双重打击。随着本季度推进，需求很可能放缓，这就要求 OEM 改变采购模式，或聚焦高端机型，通过提供更多价值来支撑更高的产品定价。