华尔街投行高盛日前发布报告，全面上调韩国芯片巨头 SK 海力士与三星电子的目标价及盈利预测。高盛指出，受人工智能需求和传统存储市场供给紧缺的叠加驱动，行业正迎来史上最强的存储上行周期，这将推动两家公司在 2026 年实现创纪录的利润与利润率。

据追风交易台消息，高盛 Giuni Lee 团队将 SK 海力士的 12 个月目标价从 120 万韩元上调至 135 万韩元，将三星电子的目标价从 20.5 万韩元上调至 26 万韩元，并对两家公司重申 " 买入 " 评级。基于对 DRAM 和 NAND 闪存价格更高的预期，高盛大幅上调了两家公司 2026 年第一季度的营业利润预测。据彭博汇编的共识预期，高盛对 SK 海力士 34.7 万亿韩元和三星 40.3 万亿韩元的一季度营业利润预测，分别高出市场预期 8% 和 6%。

这一激进的上调反映了存储市场强劲的定价动态。高盛最新的渠道调研显示，第二季度 DRAM 和 NAND 的早期定价谈判起点已显著高于数月前的预期。由于 AI 和服务器主导的需求吸收了市场绝大部分新增供应，即使在个人电脑和智能手机需求平淡的背景下，核心应用的存储芯片供应充足率依然处于极低水平。

强劲的基本面将直接转化为空前的财务回报。高盛预计，SK 海力士今年的净资产收益率（ROE）将突破 80% 的历史高点，而三星电子的营业利润将实现超过 5 倍的同比增长。尽管高盛在模型中计入了 2027 年存储价格可能出现温和回调的假设，但指出两家公司当前的估值水平依然具有显著的吸引力。

存储芯片迎史上最强上行周期

高盛在此次报告中大幅上调了对传统存储芯片的价格预测。对于 SK 海力士，高盛预计其 2026 年第一季度传统 DRAM 价格将环比飙升 88%，NAND 价格环比上涨 58%。基于此，SK 海力士 2026 年全年的常规 DRAM 平均售价预期被上调至同比上涨 243%。

三星电子方面，第一季度的 DRAM 和 NAND 价格环比涨幅预期分别达到 88% 和 71%，全年 NAND 价格预计同比暴涨 164%。

这种定价环境将带来史无前例的利润率水平。高盛预计，SK 海力士今年的 DRAM 和 NAND 营业利润率将分别飙升至 70% 以上区间和 40% 以上区间，打破历史最高纪录。三星电子的 DRAM 营业利润率也将达到 71%，NAND 利润率达到 46%，不仅创下纪录，甚至持平或超越了 2017 至 2018 年上行周期时的巅峰水平。

AI 及 HBM 需求重塑业绩格局

除传统存储的复苏外，高频宽内存（HBM）业务的突破是另一大核心驱动力。高盛重申了对 SK 海力士在 AI 存储领域保持稳固领导地位的预期，预计其 2026 年全年营业利润将达到 202 万亿韩元，ROE 从去年的 44% 大幅跃升至今年的 81% 以上。

三星电子在 HBM 领域的进展同样显著。得益于 HBM4 的行业首发与出货、在 Google TPU 中的稳固地位，以及在 Nvidia 市场份额的增加，高盛预计三星的 HBM 收入将在 2026 年实现 158% 的同比增长，达到 150 亿美元。

这一变化也直接反映在三星的客户结构中，Alphabet 已取代 Verizon 进入其 2025 年前五大客户名单，显示出其产品组合正加速向服务器和 AI 转移。受此推动，三星 2026 年整体营业利润预计将达到 239 万亿韩元。

不过高盛也指出，持续飙升的存储元件成本将对三星智能手机业务的利润率造成明显压制，预计今年其智能手机营业利润率将降至 4% 的历史低点。

资本支出加码与估值吸引力

面对紧缺的供应局面，两家公司均计划进一步扩大资本支出。高盛将 SK 海力士和三星电子 2026 年的存储资本支出预测分别上调至 40 万亿韩元和 46 万亿韩元。

高盛强调，行业资本支出将高度向高利润的 DRAM 和 HBM 倾斜，且由于大部分增量资金用于基础设施准备，短期内不会有大量实质性产能释放到市场。此外，三星电子在 2025 年投入了创纪录的 37.7 万亿韩元用于研发（同比增长 8%），以巩固其技术领先地位。

在估值方面，高盛认为即便计入 2027 年价格小幅调整的预期，两只股票依然便宜。以 2027 年预期数据计算，SK 海力士的市盈率为 4.5 倍，市净率为 1.7 倍，ROE 维持在 46%；三星电子的市盈率为 6.8 倍，市净率为 1.7 倍，ROE 为 28%。

结合 SK 海力士的股票回购、分红以及潜在的 ADR 上市计划，以及三星电子注销近 8700 万股库存股的举措，高盛对两家公司的中长期前景保持高度建设性看法。高盛提示的潜在风险主要包括宏观终端需求疲软导致的存储供需恶化、技术迭代的延迟，以及三星在移动 OLED 市场面临的份额流失风险。