$ 佰维存储 ( SH688525 ) $  

一、堆叠 /SiP 系统级封装（惠州泰来量产落地，消费 / 穿戴 / 车载主力）

1.ePOP 叠层封装（主力量产）

DRAM+NAND 垂直同封，16～32 层 Die 堆叠、芯片超薄 30～40 μ m，封装最低厚度 0.54mm；用于 AI 眼镜、智能手表、AIPC，Meta/ 雷鸟 / 小米穿戴存储主力方案 。

2.SiP 系统级封装、FC-BGA/FC-CSP 倒装封装

多芯片异构集成（存储 + 主控 + 逻辑），FC 倒装 + 引线混合 ( FC-WB ) ，覆盖 SSD、车规存储、高端嵌入式；MiniSSD 小尺寸高密度封装依托该工艺。

3. 多层 Die 堆叠封装

NAND/DRAM 垂直堆叠，最高 32 层叠片量产能力，超薄晶圆减薄最低 25 μ m，面向大容量 eMMC/UFS、车载存储 。

二、晶圆级先进封装（东莞芯成汉奇 12 寸产线，FOWLP 为核心，AI 算力核心）

1.FOWLP 扇出晶圆级封装（Fan-out，FOMS 工艺量产）

FOMS ( Fan-out Memory Stacking ) 佰维自研存储专属扇出，RDL 重布线 +Bumping 凸块工艺，分 FOMS-R 超薄 LPDDR、FOMS 大容量 NAND；用于 AIPC、手机超薄 LPDDR、边缘 AI 存储，良率＞95%。

2.FIWLP 扇入型晶圆级封装 ( Fan-in )

小尺寸芯片低成本晶圆封，面向小容量嵌入式存储、IoT 芯片封装。

3.RDL 重布线 +Bumping 凸块工艺（底层核心）

2.5D/CoWoS、CMC 存算合封基础工艺，自研全流程 RDL，实现细间距高密度互联、缩短信号路径 50%+。

三、2.5D/Chiplet 存算合封（CMC+CoWoS，AI 算力在研 / 送样）

1.CMC ( Computing Memory Chiplet ) 存算芯粒封装

自研 1+6、2+8 芯粒合封方案（算力 Die+ 多颗存储 Die 同基板），2.5D 中介层架构，适配端侧 / 边缘 AI；2+8 方案可拓展 3.2 倍光罩尺寸，对接国产 AI 芯片存算一体需求。

2.CoWoS 2.5D 基板封装（国产自主路线）

- CoWoS ‑ S（小尺寸，端侧 AI）：已送样，算力 +DRAM/NAND 共基板；

- CoWoS ‑ L（大尺寸，服务器级 HBM）：2026Q3 落地，对标云端 AI 高带宽存储封装。

四、前沿 OEC 光电共封装（对标 CPO，三大封装主线：FOMS 存 /CMC 算 /OEC 运

OEC 高速光电互联封装：硅光引擎 + 存储 / 算力芯片混合共封，电互联已量产，光互联 2026-2027 量产；依托 2.5D+RDL 实现光电异构集成，面向 PCIe/CXL、AI 服务器高速互联，目标单通道 1.6Tbps 带宽。

三大产品线总结

1. FOMS：高性能存储扇出封装（已量产）

2. CMC：Chiplet 存算合封（送样 / 小批量）

3. OEC：光电共封装（电量产、光研发）

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