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科创芯片设计ETF国泰(589260)盘中上涨3.1%,AI数据中心供电升级受关注
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20cm 速递|科创芯片设计 ETF 国泰(589260)盘中上涨 3.1%,AI 数据中心供电升级受关注

6 月 2 日,科创芯片设计 ETF 国泰(589260)盘中上涨 3.1%,AI 数据中心供电升级受关注。

野村东方国际证券指出,AI 数据中心建设正驱动电子与半导体行业需求。在供电架构上,800V 高压直流(HVDC)系统迭代将涉及电源供应单元、备电电池单元、固态变压器等产品价值量变化。宁波秋水半导体近日连续完成 Pre-A 及 A 轮融资,资金将用于 8 英寸混合键合产线建设,Micro-LED 微显示芯片研发与制造进展受到关注。同时,AI 服务器芯片功率提升及电压下降导致供电电流显著上升,看好垂直供电架构产业化加速,这将直接带动功率器件价值量和市场规模的快速增长。以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体功率器件迎来发展机遇,其具有高击穿电场强度、高热导率、低开关损耗和高效率等优势。全球功率器件产业链在经历产能去化后,在 AI 数据中心建设带来的需求提升预期下,有望进入新一轮供需两旺的扩产周期。

科创芯片设计 ETF 国泰(589260)跟踪的是科创芯片设计指数(950162),单日涨跌幅限制达 20%,该指数聚焦于芯片设计环节,成分股全部来自科创板上市公司,覆盖数字与模拟芯片设计领域。指数具备高研发投入、轻资产运营的特性,并在人工智能算力需求显著增长时展现出较强的市场弹性。

风险提示:提及个股仅用于行业事件分析,不构成任何个股推荐或投资建议。指数等短期涨跌仅供参考,不代表其未来表现,亦不构成对基金业绩的承诺或保证。观点可能随市场环境变化而调整,不构成投资建议或承诺。提及基金风险收益特征各不相同,敬请投资者仔细阅读基金法律文件,充分了解产品要素、风险等级及收益分配原则,选择与自身风险承受能力匹配的产品,谨慎投资。涉及基金费率请查阅法律文件。

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