充电头网最近从拆解中发现华源智信推出的合封氮化镓芯片 HYC3688H。

该芯片是一款集成 PWM 控制器、SenseFET 电流检测以及 GaN 功率器件的三合一反激控制器，内部集成 700V DGaN，适用于 USB PD 充电器、笔记本电脑适配器、电视 / 显示器电源等应用。

HYC3688H 采用 PWM+SenseFET+GaN 三合一架构，内部集成 700V DGaN，并支持通过 SenseFET 实现无损电流检测。

相比传统反激电源中常见的采样电阻检测方案，HYC3688H 可减少采样损耗，有助于进一步提升整机效率，同时减少外围器件数量，降低系统成本。

这款芯片还集成高压启动功能，支持 5V-80V 宽 VCC 工作范围，并内置 LDO 供电 PWM 控制器，能够满足小体积电源对高集成度和稳定供电的需求。

在驱动与 EMI 优化方面，HYC3688H 采用华源智信专利 D-GaN 驱动技术，并支持可调节开关速度，有助于改善辐射 EMI 特性，为小型化氮化镓电源设计提供便利。

同时，HYC3688H 可搭配华源智信同步整流芯片使用，支持系统可靠工作在 CCM、QR、DCM 等多种模式下，兼顾不同负载条件下的效率表现和工作稳定性。

HYC3688H 采用 DFN 6 × 8-30L 封装，为了提升系统可靠性，该芯片内部还提供了丰富的保护功能，包括输出过压保护、变压器饱和保护、VCC 过压保护、过载保护、掉电保护以及芯片过温保护等，可在异常工况下为电源系统提供安全保障。

充电头网此前在拆解绿联指尖湃 45W 氮化镓快充充电器时发现，其内部电源主控芯片采用华源智信 HYC3688H。

凭借高集成度设计，HYC3688H 可减少外围元器件数量，并配合绿联内部堆叠结构，助力这款 45W 氮化镓充电器实现小体积、高功率密度设计。

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HYC3688H 这类合封氮化镓芯片的优势很直接，就是把控制、电流检测和 GaN 功率器件集成到一起，让电源方案更简洁。

对于快充电源来说，体积、效率、成本和可靠性往往需要同时兼顾。HYC3688H 通过三合一架构减少外围器件，同时引入无损电流检测、700V DGaN 以及多重保护功能，能够帮助厂商更快做出小体积、高效率的电源产品。

从充电头网这么多年拆解和行业经验来看，当前国产氮化镓电源芯片逐步走向更高集成度的系统级方案。华源智信 HYC3688H 的推出，也为 USB PD 充电器、适配器等产品的小型化设计提供了新的选择。

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