快科技 6 月 5 日消息，据 TrendForce 报道，SK 海力士正着手大规模扩张 DRAM 产能。

目前，公司已与主要供应商分享了相关计划，目标是在 2030 年至 2031 年前后，将 DRAM 产能提升至当前水平（约每月 55 万片晶圆）的近两倍，其中包含无锡工厂的产能（约每月 20 万片晶圆）。

这一规划与集团董事长崔泰源在 COMPUTEX 2026 上的表态一致：未来五年内，SK 海力士将全力推动整体晶圆产能翻倍。

扩建工程主要集中于韩国京畿道龙仁市的龙仁半导体集群——一个超大型半导体制造园区。

园区内的首座晶圆厂将建设六间洁净室，首批设备安装计划从原定的 2027 年 5 月提前至 2027 年 2 月。预计到 2030 年上半年，该工厂可新增每月 36 万片晶圆的产能，显著提升 SK 海力士对客户需求的响应能力。

另一项扩建工程位于韩国忠清北道清州市的 M15X 工厂，计划于 2026 年下半年开始运营，初始产能为每月 4 万片晶圆，并于 2027 年提升至每月 8 万片。

值得注意的是，SK 海力士所有新增产能均将用于 DRAM 芯片的生产。与之相比，另一项核心业务—— NAND 闪存的战略重点并非快速扩张产能，而是技术迭代升级，如增加堆叠层数，两者侧重点明显不同。

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责任编辑：鹿角