来源：新浪证券 - 红岸工作室

6 月 6 日消息，国家知识产权局信息显示，云南中科鑫圆晶体材料有限公司、云南鑫耀半导体材料有限公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司申请一项名为 " 一种用于抑制锗晶片外延后水纹缺陷的清洗方法 " 的专利。申请公布号为 CN122161361A，申请号为 CN202610158831.4，申请公布日期为 2026 年 6 月 5 日，申请日期为 2026 年 2 月 4 日，发明人李芳艳、刘汉保、杨春柳、周玲娟、柳廷龙、韦华、王顺金、赵友鹏，专利代理机构昆明祥和知识产权代理有限公司，专利代理师唐德林，分类号 H10P70/00、H10P72/00。

专利摘要显示，本发明涉及半导体材料制备技术领域，特别涉及一种用于抑制锗晶片外延后水纹缺陷的清洗方法，包括以下步骤：晶片放置、酒精冲洗、去离子水冲洗、碱性溶液冲洗、晶片干燥，通过协同控制主轴转速、药液、去离子水流量、送风排风风速，并特别设定最后一次水阀关闭后到启动甩干程序之间的间隔时间，使得晶片表面附着液膜的形态和厚度得到有效调控，从而在甩干时能更均匀、快速地脱离表面，避免因局部液膜残留或干燥不均而形成水纹。该方法直接集成于现有自动清洗设备中，无需改变硬件结构，仅通过工艺参数优化即可显著提升锗晶片外延前的表面质量，具有良好的工业应用价值。

天眼查数据显示，云南中科鑫圆晶体材料有限公司成立日期 2008 年 6 月 13 日，法定代表人惠峰，所属行业为计算机、通信和其他电子设备制造业，企业规模为小型，注册资本 32645.804 万人民币，实缴资本 22645.804 万人民币，注册地址为云南省昆明市高新区马金铺魁星街 666 号。云南中科鑫圆晶体材料有限公司共对外投资了 0 家企业，参与招投标项目 27 次，财产线索方面有商标信息 0 条，专利信息 90 条，拥有行政许可 16 个。

云南中科鑫圆晶体材料有限公司近期专利情况如下：

天眼查数据显示，云南鑫耀半导体材料有限公司成立日期 2013 年 9 月 10 日，法定代表人包文东，所属行业为计算机、通信和其他电子设备制造业，企业规模为小型，注册资本 48601.064401 万人民币，实缴资本 12038.039823 万人民币，注册地址为云南省昆明市高新区马金铺魁星街 666 号 2 楼。云南鑫耀半导体材料有限公司共对外投资了 2 家企业，参与招投标项目 22 次，财产线索方面有商标信息 0 条，专利信息 95 条，拥有行政许可 12 个。

云南鑫耀半导体材料有限公司近期专利情况如下：

云南锗业成立于 1998 年 8 月 19 日，于 2010 年 6 月 8 日在深圳证券交易所上市，注册地址为云南省临沧市，办公地址为云南省昆明市。它是国内锗行业领先企业，专注锗矿开采及精深加工，具备全产业链优势。

云南锗业所属申万行业为有色金属 - 小金属 - 其他小金属，涉及锗镓概念、QFII 持股、太阳能（光伏）等概念板块。其主营业务涵盖锗矿开采、火法富集等环节，主要产品有区熔锗锭、红外级锗单晶及锗镜片，最终应用于红外光学、太阳能电池等行业。

2025 年，云南锗业营业收入 10.66 亿元，行业排名 13/16，远低于第一名贵研铂业的 556.75 亿元和第二名锡业股份的 435.35 亿元，也低于行业平均数 90.28 亿元和中位数 26.2 亿元。主营业务中，材料级锗产品收入 3.64 亿元，占比 34.11%。净利润为 2481.82 万元，行业排名 14/16，与第一名锡业股份的 21.1 亿元和第二名华锡有色的 12.9 亿元差距较大，低于行业平均数 4.24 亿元和中位数 2.14 亿元。

云南临沧鑫圆锗业股份有限公司近期专利情况如下：