6 月 8 日消息，存储半导体模组企业宏芯宇 ( HOSINGLOBAL ) 在 COMPUTEX 2026 上发布了其自研 UFS 2.2 嵌入式闪存主控芯片 HG2325。

IT 之家了解到，HG2325 采用 22nm 成熟制程工艺，内置大容量 SRAM 缓存搭载自研 4KB LDPC 硬件纠错引擎，适配主流 3D TLC / QLC NAND，闪存接口速率支持到 1600MT/s。

其兼容高通、联发科技、紫光展锐等厂商的主流 SoC 平台，支持 64GB~1TB 的一系列容量规格，其中 512GB 存储模组的顺序读取与写入速率分别可达 1060MB/s 和 975MB/s。

宏芯宇此次还在台北国际电脑展上展示了 PCIe Gen5 x4 eSSD、DDR5-5600 RDIMM、车规级嵌入式闪存 & 固态硬盘等一系列产品。