快科技 6 月 9 日消息，三星电子副会长兼设备解决方案（DS）事业部负责人全永铉在首尔新罗酒店与黄仁勋举行闭门商务会议，会后三星宣布，双方的合作已远远超越 HBM 存储器领域，全面扩展至晶圆代工业务。

全永铉透露，三星正在利用 4 纳米和 8 纳米工艺节点，为英伟达生产自动驾驶芯片及加速器芯片。三星通过 4nm 满足高阶自动驾驶的高算力需求，借助 8nm 成熟工艺平衡性能与成本。

在 AI 推理芯片代工领域，三星晶圆代工目前已是英伟达 4nm 工艺 Groq 3 ( LP30 ) LPU 芯片的合同制造合作伙伴。

针对英伟达未来规划的 Rubin 世代 LP35 LPU 和 Feynman 世代 LP40 LPU 芯片，双方正在积极探讨后续生产合作事宜。

全永铉表示，双方不仅就短期的 HBM4 供应进行了深入对话，还广泛讨论了涵盖 HBM4E、HBM5 以及下一代芯片代工的长期联合发展计划。三星今年将全力保障 HBM4 及低功耗内存模组 SOCAMM 的充足供应。

2026 年第三季度英伟达 Vera Rubin 将全面交付，三星 HBM4 良率与产能成其突围关键。

全永铉拒绝透露是否签署长期供货协议，强调以 HBM 和代工业务成果证明竞争力，双方合作将持续深化。

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