意法半导体新氮化镓功率晶体管赋能高需求电气化应用提升能效和功率密度。新推出的 700V PowerGaN 氮化镓功率器件属于 STPOWER 产品组合，能够解决人工智能服务器耗电量不断攀升的能效难题，还可以克服市场需要更高的电源转换性能而传统硅基器件已经达到技术极限的行业挑战。

体新 PowerGaN 器件可为高压电源带来更高能效和功率密度，额定工作电压 700V，支持大功率电源转换和高频开关电路拓扑。PowerGaN 氮化镓器件本身具备很多天然优势，包括导通损耗低、高频开关损耗小，无反向恢复电荷，能够缩减系统体积，减轻重量，降低工作温度。这些功率半导体特性对于机器人、工业电源，以及发电、配电、储能智能电网变流器至关重要。

意法半导体功率及分立器件子产品部执行副总裁 Mario Aleo 表示：" 我们的 PowerGaN 产品组合本次新增的多款 700V 器件，让中高功率应用也能享受氮化镓技术的好处。我们还将持续扩充这个产品组合，推出更多的不同额定电压、具备新特性的器件，强化我们为未来 AI 服务器、人形机器人、工业电源以及家电等高端消费类电源提供 GaN 解决方案的承诺。"

技术解释，供编辑参考：

意法半导体新推出的七款增强型 GaN 高电子迁移率晶体管（HEMT）属于 700V PowerGaN 系列，额定连续电流覆盖 6A 至 29A 区间，典型导通电阻为 53 m Ω至 270 m Ω。低内部电容和低栅极电荷是 GaN 宽禁带技术的固有特性，每款新产品的 Qg x RDS ( on ) 品质因数（FoM）都远超传统硅基器件。

新的 700V 产品均达到意法半导体可靠性标准要求，扩大了产品选型范围，为应用带来高性能和高能效，可直接替换现有功率转换电路的传统 MOSFET，也可实现全新的高频电路拓扑。其高频开关特性能够缩减磁性元件和无源器件的体积，进而让功率电路布局更紧凑、功率密度更高。

新产品采用 DPAK、TO-LL、PowerFLAT 三种表面贴装封装，这类封装经过实际应用检验，受到主流电子设计自动化元件库与工具链的广泛支持。其中 TO-LL 和 PowerFLAT 封装型号配备开尔文源极引脚，将栅极控制电路与主电源回路隔离，从而大幅提升抗干扰能力，保护栅极驱动器，并保证时序裕量。本次推出的具体型号如下：

· 采用 6.10 mm x 6.60 mm 3 引脚 DPAK 封装，带可焊接散热盘

· SGT070R70HTO ( 26 A, 53 m Ω * ) ，采用无引脚 TO-LL 封装，漏极和源极引脚散热性能优异

· SGT080R70ILB ( 29 A, 60 m Ω * ) , SGT105R70ILB ( 21.7 A, 80 m Ω * ) , SGT140R70ILB ( 17 A, 106 m Ω * ) , SGT190R70ILB ( 11.5 A, 138 m Ω * ) , SGT240R70ILB ( 10 A, 165 m Ω * ) ，这五款器件均采用 PowerFLAT 8x8 封装，带可焊接源极散热盘，以进一步提升散热性能。

( * ) 典型 RDS ( on )