台积电下一代先进封装技术 CoPoS 的量产时间表与技术细节正逐步清晰。

知名分析师郭明錤最新研究指出，台积电 CoPoS 预计于 2028 年下半年进入量产阶段，目标是改善超大尺寸 AI 芯片封装的量产经济性，适用范围针对掩模尺寸超过 9.5 倍以上的封装需求。郭明錤同时点名，英伟达最新一代 AI 芯片 Feynman 有望成为 CoPoS 的首批采用者。

量产节点明确，英伟达 Feynman 或为首发

根据郭明錤的研究，CoPoS 的量产节点定于 2028 年下半年，核心驱动力在于提升超大型 AI 芯片封装的量产经济性。当前 AI 算力芯片的封装尺寸持续扩大，突破单一掩模限制的超大封装方案对良率和成本的管控提出了更高要求，CoPoS 正是针对这一痛点而设计。

在潜在客户层面，郭明錤指出英伟达 Feynman 芯片是 CoPoS 的可能首批用户。Feynman 为英伟达规划中的下一代 AI 芯片，若时间节点吻合，将与 CoPoS 2028 年下半年的量产窗口形成对接。

玻璃基板结构解析：三层架构，与 ABF 共存

郭明錤在报告中详细描述了 CoPoS 中玻璃核心基板的结构。该基板以玻璃为核心层，上下两侧分别覆盖 ABF 增层（ABF-GCP），形成三层架构。玻璃的加工环节涉及 TGV（Through Glass Via，玻璃通孔）制作、铜填充及金属化等关键工艺，技术难度较高。

在材料规格方面，CoPoS 在两处使用玻璃：一是尺寸为 310 × 310 毫米的临时玻璃载板；二是用于测试的 250 × 250 毫米玻璃面板，以及用于量产的 510 × 515 毫米玻璃面板，后者经加工后切割为玻璃核心基板。

澄清三大误读：玻璃不是中介层，不取代 ABF

郭明錤专门就业界流传的三种技术误解作出纠正。

误解一：CoPoS 使用玻璃中介层（glass interposer）。 郭明錤指出，玻璃在 CoPoS 中并非中介层，互连功能由芯片侧的 RDL（再分布层）以及玻璃核心基板侧的 TGV 和 ABF 增层分别承担，两者共同完成互连，而非由玻璃中介层统一实现。

误解二：玻璃取代 ABF。 郭明錤明确，玻璃与 ABF 在 CoPoS 的基板堆叠中共存，并非替代关系，上述三层架构即为佐证。

误解三：芯片直接置于玻璃上。 郭明錤澄清，芯片实际上是附着在玻璃核心基板的 ABF 增层表面，而非直接接触玻璃。

郭明錤认为，CoPoS 将持续巩固台积电在先进封装领域的竞争优势，这一优势预计可维持至 2032 年前后，为台积电在 AI 芯片封装市场的长期地位提供支撑。

本文来自华尔街见闻，欢迎下载 APP 查看更多