来源：新浪证券 - 红岸工作室

6 月 13 日消息，国家知识产权局信息显示，江苏捷捷微电子股份有限公司申请一项名为 " 基于磁耦合动态调制的可控硅触发控制系统及方法 " 的专利。申请公布号为 CN122204020A，申请号为 CN202610259447.3，申请公布日期为 2026 年 6 月 12 日，申请日期为 2026 年 3 月 4 日，发明人唐椿琛、龚雨桃，专利代理机构江苏南通启海专利商标代理事务所（普通合伙），专利代理师陈杰，分类号 H03K17/22、H03K17/90。

专利摘要显示，本发明公开了基于磁耦合动态调制的可控硅触发控制系统及方法，涉及电力电子技术领域，该系统包括：控制单元，用于基于电网电压的过零同步信号生成触发指令，编码调制为高频调制信号；并根据环境噪声与触发反馈，自适应调整编码调制参数；磁通调制单元，用于接收高频调制信号，并将调制信号转换为时变调制磁场；磁耦合通道，用于通过闭合磁路约束磁通调制单元生成的时变调制磁场，并将时变调制磁场耦合至接收侧；信号解调与触发单元，用于感应磁耦合通道中的时变调制磁场，将时变调制磁场解调、调理并整形为触发信号；并进行功率放大，生成触发脉冲。本发明通过物理层、信号层、电路层三重防御机制，免疫了传统光耦的共模噪声耦合问题。

捷捷微电成立于 1995 年 3 月 29 日，于 2017 年 3 月 14 日在深圳证券交易所上市，注册地址和办公地址均为江苏省启东市。公司是国内功率半导体分立器件领域的重要企业，技术实力较强，产品应用广泛，具有一定的市场竞争力。

捷捷微电主营业务为功率半导体分立器件的研发、设计、生产和销售，所属申万行业为电子 - 半导体 - 分立器件，涉及 IGBT 概念、氮化镓、碳化硅等概念板块。

2025 年，捷捷微电营业收入 34.94 亿元，在行业 18 家公司中排名第 5，行业第一名 *ST 闻泰为 312.53 亿元，第二名士兰微为 130.52 亿元，行业平均数为 39.84 亿元，中位数为 13 亿元。主营业务构成中，功率半导体器件 22.37 亿元占比 64.01%，功率半导体芯片 11.87 亿元占比 33.98%，其他 ( 补充 ) 4548.75 万元占比 1.30%，功率器件封测 2465.77 万元占比 0.71%。净利润方面，2025 年公司实现净利润 4.76 亿元，行业排名第 2，行业第一名扬杰科技为 12.45 亿元，行业平均数为 - 3.38 亿元，中位数为 5933.85 万元。

江苏捷捷微电子股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开 ( 公告 ) 号公开 ( 公告 ) 日期发明人 1 一种双台面双沟槽的台面可控硅及其制备方法发明专利公布 CN202610578349.62026-04-29CN122121192A2026-05-29 王楠、杨政飞、彭鑫葆、张翼、王旭、吴肇兴 2 一种具有复合沟槽终端结构的双向可控硅及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布 CN202610445047.12026-04-07CN121985547A2026-05-05 杨政飞、王楠、彭鑫葆、张翼 3 基于磁耦合动态调制的可控硅触发控制系统及方法发明专利公布 CN202610259447.32026-03-04CN122204020A2026-06-12 唐椿琛、龚雨桃 4 一种台面型半导体器件的制造方法发明专利授权 CN202610077185.92026-01-21CN121568532B2026-04-24 唐椿琛、张翼 5 一种新型钝化结构的台面可控硅及其制备方法发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 CN202511038229.92025-07-28CN120565509A2025-08-29 彭鑫葆、唐椿琛、牟佳伟 6 一种晶圆键合强度表征方法发明专利授权、实质审查的生效、公布 CN202511038292.22025-07-28CN120542337B2025-09-30 陈英杰 7 一种纵向结构对称的双向可控硅实用新型授权 CN202521202177.X2025-06-12CN224165045U2026-04-24 陈英杰 8 基于非线性半导体温控特性的可控硅自适应节能触发电路及系统发明专利实质审查的生效、公布 CN202510755341.82025-06-06CN120729272A2025-09-30 唐椿琛 9 光电耦合器件封装壳体外观专利授权 CN202530325322.22025-06-06CN309709457S2025-12-30 张正荣、王攀杰、王浏浏、梁玉清 10Stoll 封装的 MOS 管温度测试结构及其制造方法发明专利授权、实质审查的生效、公布 CN202510729760.42025-06-03CN120261410B2025-08-12 李小建、杨芹、侯辉、沈慧慧、王欣宇 11 检测可控硅通态电流临界上升率的测试装置及测试方法发明专利授权、实质审查的生效、公布 CN202510679455.92025-05-26CN120195527B2025-08-15 梁玉清、张正荣、颜呈祥 12 一种三极管触发的集成可控硅实用新型授权 CN202520871329.92025-04-30CN224069036U2026-03-31 陈英杰、牟佳伟 13 一种高 dv/dt 的可控硅集成芯片及其制造方法发明专利授权、实质审查的生效、公布 CN202510518737.02025-04-24CN120035205B2025-06-24 陈英杰、唐椿琛 14 一种横向结构的双向可控硅芯片及其制造方法发明专利授权、实质审查的生效、公布 CN202510519757.X2025-04-24CN120035191B2025-07-22 陈英杰、彭鑫葆 15 一种台面可控硅玻璃钝化层的上粉方法发明专利实质审查的生效、公布 CN202510480780.22025-04-16CN120280356A2025-07-08 唐椿琛、彭鑫葆、牟佳伟 16 功率器件封装外壳外观专利授权 CN202530150281.82025-03-25CN309622171S2025-11-21 张正荣、王浏浏、颜呈祥 17 功率半导体分立器件（MOSFET- 散热款）外观专利授权 CN202430834629.02024-12-30CN309505115S2025-09-19 刘春森 18 一种适用多款 MOS 芯片封装结构发明专利实质审查的生效、公布 CN202411702811.62024-11-26CN119480838A2025-02-18 刘春森、徐洋、庄肇嵘、周夏楠 19 一种适用多款 MOS 芯片封装结构实用新型授权 CN202422894383.32024-11-26CN223462224U2025-10-21 刘春森、徐洋、庄肇嵘、周夏楠 20 一种改善芯片受热及应力的铜引线片封装结构实用新型授权 CN202422888296.72024-11-26CN223462221U2025-10-21 周夏楠、徐洋、庄肇嵘、刘春森 21 带交流过零检测功能的可控硅驱动芯片及应用电路实用新型授权 CN202422258286.52024-09-14CN223218996U2025-08-12 张正荣 22 一种混合栅 IGBT 结构及其制备方法发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 CN202411034963.32024-07-31CN118969828A2024-11-15 黄健、叶士杰、陈宏、郭亚楠、刘洋、刁绅、皮彬彬 23 一种 SiC 基 RC-IGBT 的结构及其制备方法发明专利授权 CN202411034975.62024-07-31CN118969829B2025-12-26 黄健、叶士杰、陈宏、郭亚楠、刘洋、刁绅、皮彬彬 24 一种抑制短路电流丝失效的 IGBT 结构发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 CN202411020359.52024-07-29CN118969826A2024-11-15 黄健、郭亚楠、陈宏、叶士杰、刘洋、刁绅、皮彬彬 25 一种纵向变掺杂的 IGBT 结构及制备方法发明专利实质审查的生效、公布 CN202411013548.X2024-07-26CN118969825A2024-11-15 黄健、叶士杰、陈宏、郭亚楠、刘洋、刁绅、皮彬彬 26 一种 BMS 用 MOS 管的保护电路实用新型授权 CN202421736757.22024-07-22CN222884347U2025-05-16 李立 27 一种智能 IPM 电压保护方法及系统发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 CN202410838337.32024-06-26CN118763599A2024-10-11 刘洋、陈宏、黄健、刁绅、皮彬彬、郭亚楠、叶士杰 28 基于 555 定时器组成的重复雪崩能量测试电路及系统发明专利实质审查的生效、公布 CN202410743122.32024-06-11CN118707277A2024-09-27 李小建、张正荣、杨芹 29 基于 555 定时器组成的重复雪崩能量测试电路及系统实用新型授权 CN202421328609.72024-06-11CN223166862U2025-07-29 李小建、张正荣、杨芹 30 一种新型双通道输入控制光耦器件发明专利实质审查的生效、公布 CN202410665782.42024-05-27CN118534593A2024-08-23 李小建、覃峰 31 一种新型双通道输入控制光耦器件实用新型授权、公布 CN202421178979.72024-05-27CN222280899U2024-12-31 李小建、覃峰 32 一种新型复合老化测试板实用新型授权 CN202421171811.32024-05-27CN222838151U2025-05-06 李小建、杨芹 33 一种横向结构的可控硅芯片及其制造方法发明专利授权、实质审查的生效、公布 CN202410350377.32024-03-26CN117954483B2024-06-14 陈英杰、张翼、朱法扬 34 一种可以抑制 Snapback 现象的 RC-IGBT 结构发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 CN202311854521.92023-12-29CN117766575A2024-03-26 郭亚楠、陈宏、黄健、叶士杰、刘洋、刁绅、皮彬彬 35 一种安全的光伏组件关断方法及光伏系统发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 CN202311865645.72023-12-29CN117810902A2024-04-02 刘洋、陈宏、黄健、刁绅、皮彬彬、郭亚楠、叶士杰 36 一种带有超结结构的屏蔽栅 IGBT 发明专利授权、实质审查的生效、公布 CN202311854553.92023-12-29CN117766576B2024-09-24 郭亚楠、陈宏、黄健、叶士杰、刘洋、皮彬彬、刁绅 37 一种高精度的碳化硅模块温度保护方法及系统发明专利授权、实质审查的生效、公布 CN202311816066.32023-12-27CN117784846B2024-07-30 刘洋、陈宏、黄健、皮彬彬、刁绅、叶士杰、郭亚楠 38 一种电容可调的 SGTIGBT 结构及制备方法发明专利授权、实质审查的生效、公布 CN202311772446.12023-12-21CN117712156B2024-07-02 郭亚楠、陈宏、黄健、叶士杰、刘洋、刁绅、皮彬彬 39 一种门极和阳极共面的双向可控硅芯片及其制造方法发明专利授权、实质审查的生效、公布 CN202311456948.32023-11-03CN117174747B2024-03-08 朱法扬、俞荣荣、彭鑫葆 40 一种多功能的可控硅发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 CN202311446010.32023-11-02CN117176126A2023-12-05 张正荣、颜呈祥、朱法扬 41 一种集成式多路可控硅发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 CN202311299267.02023-10-09CN117038653A2023-11-10 张正荣、颜呈祥、朱法扬 42 一种硅胶垫块键合治具实用新型授权 CN202322133419.12023-08-09CN220543838U2024-02-27 李勤建、袁晨、晏长春、任文豪、陈剑 43 一种免清洗铝带劈刀实用新型授权 CN202322133278.32023-08-09CN220856493U2024-04-26 李勤建、袁晨、晏长春、任文豪、陈剑 44 一种从框架完整取料的多用途冲压治具实用新型授权 CN202322090347.72023-08-04CN220426493U2024-02-02 袁晨、晏长春、任文豪、李勤建、严巧成、周磊 45 一种半自动光学目检治具实用新型授权 CN202321945206.22023-07-24CN220542807U2024-02-27 袁晨、晏长春、严巧成、李勤建、陈旭、周磊 46 一种半导体测试程序自动化调用方法和系统发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 CN202310679092.X2023-06-09CN116737561A2023-09-12 杨建、晏长春、任文豪、丁长锋、卢登辉 47 一种功率铜片产品塑封填充结构实用新型授权 CN202321442904.02023-06-08CN220021105U2023-11-14 梁光毅、宴长春、任文豪、徐和生、李兵、向晨 48 一种新型 HTRB 老化 PCB 测试板实用新型授权 CN202321264788.82023-05-24CN220252101U2023-12-26 李小建、杨芹、侯辉、钱凌峰、金星宇 49 一种制备阶梯形沟槽半导体器件的工艺方法发明专利实质审查的生效、公布 CN202211464587.22022-11-22CN115841989A2023-03-24 张楠、黄健、孙闫涛、顾昀浦、宋跃桦、刘静、吴平丽 50 一种集成晶圆与芯片电子视图的云储存和标识追溯方法及系统发明专利授权、公布 CN202211322672.52022-10-27CN115631167B2025-06-10 袁晨、李勤建、陈金堂