智融科技推出合封 GaN 芯片 SW1118S

充电头网近期通过拆解了解到，智融科技推出了一款合封 GaN 芯片 SW1118S。

该芯片面向适配器、充电器以及 AC-DC 开关电源应用，内部集成高压 GaN 功率管，适合用于 45W-65W 快充适配器等高集成电源方案。

SW1118S 属于智融 SW111XX 系列，是一款针对离线式反激变换器设计的准谐振电流模式 PWM 变换器。

芯片采用控制器与高压 GaN 功率管集成架构，可减少外围功率器件数量，简化初级侧电路设计，有利于提升适配器功率密度。

SW1118S 采用 ESOP7 封装，内置 700V 高压 GaN 功率管，导通电阻为 0.27 Ω，对应最大输出功率范围为 45W-65W。

该芯片支持 8V-90V 超宽 VDD 供电范围，可满足 PD 适配器宽电压输出应用需求。

芯片启动电流最大约 3 μ A，兼顾启动延时与低待机功耗；在轻载和空载状态下，芯片可进入 BURST 突发模式，降低系统开关频率，从而提升轻载效率并减少待机损耗。

同时，该芯片支持 QR、DCM、BURST 多模式运行，并具备智能谷底锁定技术。

芯片通过 ZCD 引脚检测辅助绕组信号，在漏源电压谐振谷底附近开启内部 GaN 功率管，以降低开关损耗；同时，芯片最多可检测 6 个谷底信号，使系统在不同负载下保持更合理的开关状态。

针对适配器设计中较为关键的 EMI 表现，SW1118S 内置开关频率抖动功能，频率抖动幅值为 ± 4%，抖动周期为 32 个开关周期，可通过频谱能量分散改善 EMI 性能。

芯片还集成驱动能力动态调整功能，进一步优化不同工作状态下的开关表现。

保护功能方面，SW1118S 保护机制方面也很完善，集成 Brown-out 保护、VDD 欠压保护、VDD 过压保护、输出过压保护、输出欠压保护、逐周期电流限制等保护机制。

智融科技 SW1118S 面向 45W-65W 适配器、充电器等 AC-DC 电源应用，将准谐振反激控制器与 700V 高压 GaN 功率管集成在单芯片中，减少了初级侧外围器件数量，也为电源小型化设计提供了更高集成度的选择。

SW1118S 兼顾效率、EMI、待机功耗和可靠性。芯片支持 QR/DCM/BURST 多模式工作，并集成智能谷底锁定、频率抖动、驱动能力动态调整以及多重保护功能，可帮助厂商在有限空间内实现更高功率密度和更稳定的电源设计。

对于 45W、65W 这类主流 USB-C PD 适配器而言，合封 GaN 方案正在成为提升集成度和简化设计的重要方向。SW1118S 的推出，也进一步丰富了智融科技在快充电源初级侧方案中的产品布局。

同时充电头网了解到，在合封 GaN 快充电源领域，智融科技已经形成多款产品布局。除本次介绍的 SW1118S 外，充电头网此前还报道过智融科技 SW1188/SW1188HS 合封氮化镓芯片，该系列同样面向 45W-65W 快充方案，可进一步满足厂商对高集成度和高性价比方案的需求。

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