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磷化铟晶圆:产能提升10倍
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日本 JX Advanced Metals 计划将光芯片晶圆的产能提高 10 倍,以满足降低数据中心功耗的设备需求。

到 2030 财年,该公司将投资 1200 亿日元(约合 7.49 亿美元)用于提升其在日本的磷化铟硅片产能。加上目前正在进行的类似投资,JX Advanced Metals 的目标是将产能提升至 2025 财年的 7 至 10 倍。

这是该公司迄今为止在半导体材料领域最大的一笔投资。

磷化铟可以通过将电信号转换为光信号以及将光信号转换回电信号,从而降低数据中心的能耗。

光通信技术被应用于下一代基础设施,例如日本电信 NTT 的创新光无线网络(IOWN)。人工智能芯片制造商英伟达也在开发利用光通信技术在数据中心服务器中实现人工智能的设备。

JX Advanced Metals 自 20 世纪 80 年代以来一直生产磷化铟衬底。在 2025 财年,该公司投资 250 亿日元以提高该材料的产能。

据印度海峡研究公司(Straits Research)报告,预计到 2034 年,全球磷化铟硅片市场规模将达到 5.0721 亿美元,几乎是 2025 年的三倍。目前,JX Advanced Metals 及其竞争对手住友电工分别占据了该市场约 40% 的份额。

JX Advanced 正从铜制品业务转型至半导体材料领域。该公司还收购了 Rapidus 的股份,Rapidus 致力于在日本生产尖端芯片。

在东吴证券看来,磷化铟有望成为 AI 算力时代的 " 光之基石 "。

1)磷化铟凭借超高电子迁移率与精准匹配通信窗口的直接带隙特性,有望成为 1.6T 及 CPO 时代高速光芯片不可替代的物理基石。磷化铟(InP)作为第二代化合物半导体的核心,其物理特性决定了其在 AI 算力时代不可替代的战略地位。

2)磷化铟产业链表现出极高的进入壁垒与严重的供需错配。AI 数据中心的大规模建设极大拉动磷化铟的需求,但磷化铟衬底生产需在高温高压下进行极端的环境控制,叠加设备交付慢、良率爬坡难及长达两年的客户认证期。这种长周期、技术壁垒高、重资产的特性,构筑了极强的行业护城河,使磷化铟衬底成为短期内难以缓解的战略性稀缺资源。Yole 预测 2026 年全球需求飙升至 260 万至 300 万片,有效产能仅提升至 75 万片左右,缺口仍在 70% 以上。

银河证券认为,AI 算力增长驱动光器件需求,磷化铟芯片供需缺口下行业面临变局:随着云计算工作负载、AI 训练集群以及 5G 回传基础设施的迅速普及,网络运营商和超大规模云服务提供商正加速部署光互连解决方案。当前,磷化铟产能严重受限,2025 年全球器件需求达 200 万片,实际产能供需缺口超过 50%;短期内,供需缺口可能支撑器件价格并提升龙头厂商的议价权,全球磷化铟等关键材料产能已面临紧缺,资本开支竞赛将触发新一轮产能军备竞赛,但扩产周期长、技术壁垒高。

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