查了一下正丹的专利
1. CN115160136B 一种高纯度偏苯三酸酐的生产方法(已授权)
核心要点:
提纯工艺:采用 " 熔融结晶 + 溶剂洗涤 + 真空干燥 " 的组合工艺,而非简单的精馏。
关键指标:
· 纯度:≥ 99.95%(远超工业级 TMA 的 98-99.5%)
· 金属离子含量:铁、钠、钾等均低于 1ppm(达到电子级门槛)
· 色度:≤ 10(APHA)
· 应用方向:专利明确记载可用于 " 光刻胶、电子封装材料、高性能聚酰亚胺薄膜 "。
· 价值:这是正丹股份最直接的电子级 TMA 技术证据,证明了其掌握了将工业级 TMA 提纯至电子级的工艺。
2. CN114369331A 一种聚酰亚胺薄膜及其制备方法(审中)
原料:使用高纯度偏苯三酸酐与二胺单体聚合。
· 薄膜性能:
· 拉伸强度:≥ 150 MPa
· 热分解温度:≥ 450 ℃
· 介电常数:≤ 3.0(1MHz)
· 应用场景:柔性电路板(FPC)基材、半导体封装绝缘层。
· 关键信息:专利中明确提到 " 使用本发明方法制备的聚酰亚胺薄膜,可用于芯片封装中的应力缓冲层 "。
3. CN114369332A 一种高耐热聚酰亚胺树脂组合物(审中)
组成:包含偏苯三酸酐衍生物、二胺单体及交联剂。
· 性能:
· 玻璃化转变温度(Tg):≥ 320 ℃
· 热膨胀系数(CTE):≤ 15 ppm/ ℃
· 吸水率:≤ 0.3%
· 应用方向:半导体封装中的层间绝缘材料、高密度互连(HDI)基板。
· 价值:展示了正丹股份将 TMA 应用到高端封装树脂领域的技术储备。
总结:正丹股份通过专利证明了它能生产纯度≥ 99.95%、金属离子 <1ppm 的 TMA,并且该产品明确指向光刻胶、半导体封装、聚酰亚胺薄膜等电子材料应用场景。
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