盖世汽车讯 据外媒报道，半导体制造商罗姆（ROHM）开发出用于 SiC MOSFET 的 TSC3PA（14.00 × 18.58 × 3.50mm）封装。该产品采用顶部散热结构，将散热面置于封装顶部，从而实现自动化贴装，同时提供与传统通孔封装（TO-247-4L）相媲美的散热性能。这有助于提高车载充电器（OBC）和电动汽车（xEV）电动压缩机等电源转换电路的效率和可靠性。
盖世汽车讯 据外媒报道，半导体制造商罗姆（ROHM）开发出用于 SiC MOSFET 的 TSC3PA（14.00 × 18.58 × 3.50mm）封装。该产品采用顶部散热结构，将散热面置于封装顶部，从而实现自动化贴装，同时提供与传统通孔封装（TO-247-4L）相媲美的散热性能。这有助于提高车载充电器（OBC）和电动汽车（xEV）电动压缩机等电源转换电路的效率和可靠性。
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