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下一代智能手机或搭载LLW内存 性能有望提升1.5倍
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【CNMO 科技消息】6 月 18 日,据外媒报道,智能手机运行大模型时正面临内存带宽瓶颈,而这一难题难以通过软件更新解决。一种名为 LLW(低延迟宽 DRAM)的新内存格式正在开发中,旨在解决当前 LPDDR 内存对 AI 模型本地运行的制约。

小米手机

外媒指出,当前 LPDDR 内存在向处理器快速传输数据方面存在限制,这也是 AI 数据中心普遍采用 HBM(高带宽内存)的原因之一。HBM 通过将多层内存贴近处理器并经由极宽接口连接,实现了比 LPDDR 快 10 至 15 倍的带宽,但其复杂的封装和散热方案并不适用于智能手机。LLW 内存借鉴 HBM 设计,在提供更高带宽和更低延迟的同时,避免了堆叠内存带来的空间与散热问题,有望成为智能手机的 HBM 解决方案。

不过,外媒强调对于上述技术相关爆料仍需理性看待,目前所有相关信息均来自行业数码博主相关爆料,并非官方发布。据 CNMO 科技了解,相关博主透露,LLW 内存可将设备功耗降低约 50%,同时综合性能提升 1.5 倍左右。

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至于商用普及进度,同一份爆料指出 LLW 距离大规模量产落地还有数年时间。具体来看,该内存技术要到 2027 年下半年才会迎来大范围装机。传闻小米、华为有望成为首批搭载该技术的厂商,但两家企业均未公开提及这项新技术。

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