国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为 " 半导体结构及其形成方法 " 的专利，公开号 CN122249043A，申请日期为 2024 年 12 月。

专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，结构包括：基底，包括电容区以及位于电容区两侧的电源端，位于电容区两侧的电源端具有电压差、且用于为电路结构提供电源；自下而上堆叠的多层电容极板，位于电容区的基底上；介质层，位于相邻电容极板之间；第一互连通孔结构，贯穿奇数层的电容极板，并与奇数层的电容极板电连接；第二互连通孔结构，贯穿偶数层的电容极板，并与偶数层的电容极板电连接；熔断结构，位于电容区中电容极板侧部，熔断结构一端与第一互连通孔结构或第二互连通孔结构电连接；第三互连通孔结构，与熔断结构的另一端电连接。本发明有利于提高电路结构的工作稳定性。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于 2000 年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本 244000 万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了 4 家企业，参与招投标项目 119 次，财产线索方面有商标信息 234 条，专利信息 15010 条，此外企业还拥有行政许可 480 个。

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作者：情报员