金融界 12小时前
中芯国际申请封装环结构及其形成方法专利,能避免封装环形成放电电流
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国家知识产权局信息显示,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 ; 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为 " 封装环结构及其形成方法 " 的专利,公开号 CN122249094A,申请日期为 2024 年 12 月。

专利摘要显示,一种封装环结构及其形成方法,其中封装环结构包括:至少一个金属层,所述金属层包括多个金属层段,相邻所述金属层段之间具有断开区;其中,所述断开区设置有第一弯折部和第二弯折部,所述第一弯折部和所述第二弯折部分别与相邻所述金属层段的端部连接,所述第一弯折部和所述第二弯折部相互交错设置且呈中心对称,且所述第一弯折部和所述第二弯折部之间相互不接触。本发明实施例提供的封装环结构,既能隔绝外界空气和水分,还能避免封装环形成放电电流,可以提高具有该封装环结构的半导体结构的性能。

天眼查资料显示,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,成立于 2002 年,位于北京市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本 100000 万美元。通过天眼查大数据分析,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司共对外投资了 1 家企业,参与招投标项目 49 次,专利信息 8188 条,此外企业还拥有行政许可 231 个。

中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,成立于 2000 年,位于上海市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本 244000 万美元。通过天眼查大数据分析,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司共对外投资了 4 家企业,参与招投标项目 119 次,财产线索方面有商标信息 234 条,专利信息 15010 条,此外企业还拥有行政许可 480 个。

声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为 AI 基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。

来源:市场资讯

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