闪迪专利曝光 3D 存算架构：HBM 与 NAND 分层协同

2026.06.22 22:47  

钛媒体 App 6 月 22 日消息，闪迪近日披露一项专利显示，公司提出基于 CBA 存储晶粒的 3D 堆叠架构：将 GPU 或 AI 加速器等计算芯片直接集成在 NAND/CMOS 逻辑存储单元之上，并置于中介层，周围堆叠 HBM 芯片。其中 HBM 负责高带宽低延迟访问，NAND 层承担大容量读写与存储任务。该设计旨在缓解 HBM 容量受限问题（单堆约 32 – 64GB）。此前闪迪提出 HBF 架构，通过 TSV 垂直堆叠 NAND，容量可达 4TB，较 HBM 提升 8 – 16 倍，但仍面临延迟与系统集成复杂度挑战。相较 DRAM，NAND 具备更高容量与更低成本，但访问速度更慢。新架构通过 3D 分层，实现了两者的完美互补。（钛度车库）

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