金融界 3小时前
澳柯玛云联申请半导体器件及其制造方法专利,改善器件电性能
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国家知识产权局信息显示,青岛澳柯玛云联信息技术有限公司申请一项名为 " 半导体器件及其制造方法 " 的专利,公开号 CN122270129A,申请日期为 2024 年 12 月。

专利摘要显示,本发明提供一种半导体器件及其制造方法,该半导体器件的制造方法在浅沟槽隔离结构的制造工序中,在通过第一湿法刻蚀工艺去除衬垫氧化层之后增加一道选择性沉积工艺,由此通过该选择性沉积工艺在形成的浅沟槽隔离结构的暴露表面上形成介质修补层,且该介质修补层会填满浅沟槽隔离结构顶部边缘的边沟,从而可以解决浅沟槽隔离结构的顶部边缘处形成的边沟减弱浅沟槽隔离结构的隔离效果的问题,进而改善器件电性能。本发明的半导体器件,由于有介质修补层通过选择性沉积工艺填充于浅沟槽隔离结构顶部边缘的边沟中,因此能够保证所需的浅沟槽隔离结构的隔离效果,器件电性能和可靠性得到提高。

天眼查资料显示,青岛澳柯玛云联信息技术有限公司,成立于 2020 年,位于青岛市,是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本 50000 万人民币。通过天眼查大数据分析,青岛澳柯玛云联信息技术有限公司共对外投资了 5 家企业,专利信息 158 条,此外企业还拥有行政许可 4 个。

声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为 AI 基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。

本文源自:市场资讯

作者:情报员

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