快科技 6 月 23 日消息，进入 3D 时代之后，提升 NAND 闪存容量的关键技术就是堆栈的层数了，现在量产的也就 300 多层，再过 5 年就要奔向 1000 层以上了。

目前 SK 海力士量产了 321 层的闪存（他们自己叫 4D 闪存），主流产品还在 200-300 层之间，三星年内计划量产 400 层以上的 Gen10 V-NAND 闪存。

再往后呢，3D 闪存的层数还要往 500 层以上堆，三星上月底公布了一个 900 层堆栈的闪存技术，实际上是靠 CMB 多层键合技术将 2 个 450 层的闪存芯片键合起来的。

三星的志向不会止步于此，500 多层堆栈的技术成熟之后，靠键合技术还能再做到 1000 层以上，三星预测的时间是 2030 年左右，实际更应该是在 2030 年之后。

这对大家来说有什么意义，要知道当前 200 多层堆栈 QLC 闪存的消费级 M.2 硬盘也就 8TB 容量，1000 层的 QLC SSD 可以轻松做到 32TB，到时候真的不需要什么 HDD 硬盘了。

AI、企业级的硬盘就更不得了，当前的容量做到 256TB 没问题，未来几年要奔着 1000TB 去了，也就是 PB 级容量开始了。

当然，那时候要是价格降不下来，32TB 的 SSD 硬盘恐怕会是天价，普通人买不起的。

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