长江和长鑫的上市给存储产业带来新选择，生态重塑。更多的国产主控芯片和模组厂上市，存储生态空前繁荣。

据市场研究机构 Counterpoint Research 最新报告，长江存储已成为全球 NAND 市场增长最快的厂商。韩国业内人士认为，其技术和产能的快速扩张正直接威胁三星、SK 海力士的市场地位。长江存储全球 NAND 闪存市占率已从 2025 年同期的 8% 跃升至 13%。韩国三星、SK 海力士等大厂已正式发出警告，称中国存储厂商的追赶速度超出预期。

现状：长江存储（NAND）：自研 Xtacking 架构实现 232 层 /294 层 3D NAND 量产，位密度和堆叠层数达到国际领先水平，部分性能已超越国际一线，成功切入国内终端及国际大厂供应链。

据韩媒报道，中国存储芯片制造商长鑫存储已在 HBM3 技术上追平三星和 SK 海力士，中韩两国在 HBM 领域的差距从此前的多代落后缩至仅 3 年。报道称，长鑫存储自主研发 HBM3 高带宽内存样品已经成功完成国内第一梯队云厂商首轮适配工作，根据规划，长鑫 HBM3 将在 2026 年年底进行小规模试生产，在 2027 年大规模投产。伴随着国内 HBM 产能逐步释放，将极大改善我国 AI 算力基础设施供应情况。

现状：长鑫存储（DRAM）：17nm DDR5 实现规模量产，良率突破 90%，性能基本追平国际主流，LPDDR5X 打入高端手机供应链，HBM3 样品已交付，但整体在 HBM、超高层堆叠等尖端领域仍落后国际巨头 2-3 年。

尽管情况向好的方向，但压力还在重的方向。

对外美国限制 HBM2E 及以上产品对华出口三大供应商（三星、SK 海力士、美光）自身供给紧张，违规销售的意愿降低；部分 HBM 仍通过第三国中间商、部分组装系统等灰色渠道流入中国但规模有限，且在持续收紧。

阿里、字节、腾讯等国内云厂商资本开支激增，华为、寒武纪等国产 AI 芯片对 HBM 需求快速增长。供给受限 + 需求爆发，中国 HBM 供应紧张局面可能持续至少 18 个月。

出口管制下的国产化设备生态局部违建。光刻机和离子注入设备是当前国产化的最大瓶颈，先进制程设备、高端材料等核心环节仍高度依赖进口，尽管咱们在刻蚀、沉积、CMP 等领域，国内供应商已取得显著进展。

工艺环节

国内供应商

进展

刻蚀

中微公司、屹唐半导体

中微已覆盖 DRAM 94% 的 CCP 刻蚀应用、98% 的 ICP 刻蚀应用

沉积

拓荆科技、北方华创

覆盖 ALD/CVD/PVD，周星工程（韩国）也参与供应

光刻

上海微电子

DUV 设备仍落后于 ASML

离子注入

中国电科、凯世通、北方华创

进展缓慢，与海外差距仍大

铜电镀

盛美上海

部分覆盖 ECP 工序

CMP

华海清科

已进入长鑫供应商体系

检测 / 测试

星微电子、精测电子

海外供应商仍占主导

于是乎，2026 年存储技术创新和应用论坛将于 2026 年 9 月 4-6 日在广州举办，以 AI 时代的存储技术与生态变革 ( 智算一体化，存储生态重塑 ) 为主题，聚焦 HBM、先进封装等给存储带来技术革新，并面向更多存储应用。拟邀出席单位来自：

存储芯片原厂、存储核心设备代表、存储主控芯片、存储模组厂、存储智能化软件公司、存储解决方案商以及存储应用主要代表。同时诚邀存储商业上下游同仁参会交流。

长鑫存储和长江存储正加速扩产，长鑫存储月产能向 30 万片迈进，长江存储武汉三期预计 2026 年底投产，产能集中释放，以承接国产替代增量。NAND 长期缺货、DRAM 全线涨价，国产存储切入国际供应链。

从中国出口情况看，今年一季度，我国存储器产品出口 459.9 亿美元，同比增长达 174.2%。有业内人士表示，与 2025 年 3 月相比，存储器价格已经涨了近十倍，甚至还有一些是十几倍的增长。

两大原厂的产能扩张，是不是带来更多挣钱的机会？