科创板日报 1小时前
剑指内存墙问题 高通发布HBC架构 带宽较HBM大幅提升
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《科创板日报》6 月 25 日讯(编辑 宋子乔) 当地时间 6 月 25 日,在 2026 投资者日上,高通正式发布面向 AI 数据中心市场的突破性技术——高带宽计算架构(HBC,High-Bandwidth Compute),旨在打破存储墙瓶颈,大幅提升内存容量和带宽。

此 HBC 架构采用专用近内存计算方案,将计算单元直接置于 DRAM 底层。

具体来看,高通以硅通孔(TSV)工艺实现 3D 堆叠芯片设计,将专用近内存加速器堆叠在 LPDDR 存储堆栈下方。

LPDDR 是 DRAM 下专为低功耗设备设计的分支,核心原生优势为超低功耗,同时具备易 3D 堆叠、单卡内存容量上限更高、性价比高的特点。它原本多用于手机、边缘终端,近年逐步渗透到 AI 推理类数据中心加速卡场景。高通选择 LPDDR 作为存储介质的主要原因在于其单堆容量更大。

据高通公布的数据,完整加速器级别下,HBC 单位功耗带宽是 HBM 的 6 倍(意味着同等耗电下 HBC 的数据传输能力是 HBM 的 6 倍);单位功耗存储容量是静态存储 SRAM 的 200 倍(意味着同等耗电下,HBC 能承载的存储容量是 SRAM 的 200 倍)。

高通同时公布了 HBC 技术路线图,并预测 2029 财年全球 AI 加速器市场规模将达 6800 亿美元

第一代 HBC Gen1 将搭载于 AI250 加速器,预计 2027 年年中启动商业化样品测试,搭载 HBC Gen1 的 AI250 加速器单卡内存读写速率达 133TB/s,有效带宽是采用标准 LPDDR5X 的 AI200 的 18 倍。

第二代 HBC Gen2 将配套 AI300 加速器于 2028 年推出。AI300 与 AI200 相比,有效带宽最高可提升 54 倍,每瓦带宽比 HBM 提升 7 倍。

高通表示,全新 HBC 架构可实现更低的单位 Token 能耗、更高的有效存储带宽,同时降低系统总体拥有成本。该架构依托四大核心技术根基打造:领先的 3D 集成工艺、全系统级协同设计、成熟的 LPDDR 技术积淀、顶尖功耗优化能力。

微软 Azure 已确认将部署高通的 HBC 芯片,HBC 是高通 Dragonfly 数据中心解决方案的核心技术支柱之一。

当前,HBM 是 AI 算力加速器的主流存储方案,但 HBM 不仅产能紧缺、单价高昂,还存在多项性能短板,如能耗高、单堆栈容量仅 32-64GB、数据传输存在延迟,且只能集成在 GPU 侧边。

为此,高通与闪迪均有意破局,两公司目前的核心思路有异曲同工之妙,即采用 3D 堆叠近内存计算,通过缩短存算间距改善存储墙问题。

但两者选择的存储介质不同,高通 HBC 以 LPDDR DRAM 为载体,存储叠在计算上方,目标直接替代 HBM 做云端 AI 推理,已有明确量产计划;闪迪最近公布的 3D 堆叠新专利则采用上层算力芯片、下层 NAND 闪存的结构,搭配原有 HBM 做大容量冷数据扩容,且仅停留在专利阶段。

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