$ 兴福电子 ( SH688545 ) $   

第一项发明专利 :   兴福电子的含银合金蚀刻液相关技术，发明专利名称 " 高选择性含银合金膜的蚀刻液及其应用 "

  1. 基础专利信息该专利由湖北兴福电子材料股份有限公司申请，授权公告号 CN117684176B，授权公告日为 2026 年 6 月 23 日，申请号 CN202311497128.9，申请日为 2023 年 11 月 10 日，发明人为叶瑞、黄锣锣等 10 名核心技术人员，专利代理机构为湖北三峡专利代理事务所（普通合伙）。

  2. 核心配方组成该蚀刻液按质量百分比配置：40-55% 的磷酸、1-4% 的硝酸、8-15% 的醋酸、0.5-2% 的硝酸钾、0.05-0.5% 的金属掩蔽剂，剩余组分为去离子水；其中金属掩蔽剂为氮苯类化合物的季铵盐，优选吡啶季铵盐，其结构中 n 为 0 或 12~16，m 为 6~10，X 为 Cl、Br、I 中的任意一种。

  3. 核心技术原理针对强氧化强酸性的蚀刻体系，利用吡啶季铵盐的阳离子活性剂特性与强芳香性，通过共价键吸附作用在铝金属表面形成致密保护膜，在精准蚀刻含银合金膜的同时，完全避免底层铝层被腐蚀，解决了传统工艺中银铝共蚀的行业痛点。

  4. 适用场景范围该技术可用于蚀刻银合金单层膜，合金元素包含银以及铜、锌、锰、镁中的任意一种，适配半导体封装、高端显示面板的精密制造场景，尤其适配 Mini/Micro LED 等对蚀刻精度要求极高的器件生产环节。

兴福电子高选择性含银合金膜蚀刻液核心竞争优势：

一、核心性能参数对比

二、核心竞争优势

  1. 独家技术壁垒这款产品的核心掩蔽剂为兴福电子自研的吡啶季铵盐，是国内首个实现该类组分量产应用的含银合金蚀刻液，解决了行业长期存在的银铝共蚀痛点，适配先进制程的超高精度蚀刻要求。

  2. 全产业链协同优势依托母公司兴发集团的氟磷化工全产业链布局，产品核心原料磷酸、硝酸等均可实现自产自供，在原料纯度管控、成本控制、交付稳定性上远高于行业外采原料的竞品厂商。

  3. 国产替代适配性产品完全适配国内头部面板厂、先进封装厂的现有产线工艺，无需额外调整设备参数，可直接替代进口同类产品，大幅降低下游客户的供应链风险和采购成本。

  4. 研发落地效率优势兴福电子 2025 年研发投入达 9291.33 万元，同比增长 20.79%，累计拥有 540 项专利，这款产品从专利授权到量产落地的周期远短于行业平均水平，可快速响应下游客户的定制化工艺需求。

第二项实用新型专利 :   一种磷化氢气体洗涤及干燥装置实用新型专利

该专利由兴福电子与湖北三峡实验室联合研发，专利信息如下：

  • 基础信息：授权公告号 CN224371028U，授权公告日 2026 年 6 月 19 日，申请号 CN202521537070.0，发明人李少平、曾靖淞等。

  • 结构组成：装置由管线依次连接的洗涤单元、洗涤剂回流单元、磷化氢干燥单元及配套公用工程构成，洗涤单元配备两套独立洗涤塔，洗涤剂回流单元包含蒸发釜、再生塔等全套回收组件，干燥单元设置两套脱水塔。

  • 技术优势：可适配不同类型洗涤剂，实现洗涤剂全流程回收回流，大幅降低耗材消耗；能高效脱除磷化氢中夹带的黄磷、联膦及大颗粒物，同时彻底去除洗涤环节引入的水分，直接提升电子级磷化氢的产品纯度，适配半导体特种气体的超高纯制备要求。

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