6 月 25 日，台积电在上海国际会议中心举办‘ 2026 年中国技术论坛’闭门会，向客户与合作伙伴披露最新技术研发进展。台积电预计全球半导体市场 2026 年将突破 1 万亿美元，2030 年达 1.5 万亿美元；其中高性能计算（HPC）与 AI 领域需求占比 55%，智能手机占 20%，汽车与物联网各占约 10%。

台积电确认 N2（2 纳米工艺）已于 2025 年第四季度进入量产；N2P 计划于 2026 年下半年量产；搭载超级电轨的 A16 将于 2026 年下半年生产就绪；N2X 与 N2U 分别计划于 2027 年和 2028 年量产。在晶体管架构方面，台积电正推进互补场效应晶体管（CFET）研发，并已展示全球最小可运行 6TSRAM 单元，较相近纳米片设计面积缩小约 30%。

在先进封装领域，台积电宣布全球最大的 5.5 倍光罩尺寸 CoWoS 已量产，良率超 98%；14 倍光罩尺寸 CoWoS 将于 2028 年量产，支持 20 个 HBM；更大尺寸版本将于 2029 年就绪，支持 24 个 HBM。系统级晶圆（TSMC-SoW）技术中，SoW-P 自 2024 年起量产，SoW-X 预计 2029 年就绪，支持 64 个 HBM 与 16 个运算芯片集成。SoIC 技术提供 56 倍互连密度与 5 倍功耗效率，计划 2028 年实现 6 μ m 键合间距 N2 对 N2 堆叠量产，2029 年实现 4.5 μ m 键合间距 A14 对 A14 堆叠。

为满足 AI 与 HPC 需求，台积电加速扩产：2017 至 2024 年平均每年新建 4 座晶圆厂，2026 年计划新建 9 座；2022 至 2026 年客户对 AI 加速器需求增长 11 倍，对大晶粒芯片晶圆需求增长 6 倍；CoWoS 与 SoIC 产能 2022 至 2027 年复合增长率将超 80%。N2/A16 先进工艺产能 2026 至 2028 年年复合增速达 70%；N3、N5 成熟先进制程产能 2022 至 2027 年年增 25%；N2 首年晶圆产出量较 N3 同期高 45%。

台积电强调，先进制程扩产将带动前道八大设备商（光刻、刻蚀、薄膜沉积、离子注入、CMP、清洗、检测量测）受益；先进封装扩产则利好玻璃基板处理、光阻涂布、曝光、镀铜、研磨、贴片、模封、检测分选等九大环节相关设备与材料供应商。

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