赛微电子的 GaN（氮化镓）业务进展迅速，目前已形成从外延材料到器件设计、再到晶圆制造的完整产业链布局，并在产能扩充和资本整合上取得了关键性突破。具体进展如下：

1. 外延材料端：8 英寸 GaN 项目正式投产
在 GaN 上游材料领域，赛微电子通过其控股子公司聚能晶源（青岛）半导体材料有限公司进行布局。2026 年 1 月，聚能晶源的 8 英寸 GaN 外延材料项目已正式投产，具备了 GaN 外延材料的生长与研发生产能力。

2. 晶圆制造端：青州项目加速扩产
在器件制造环节，赛微电子正大力扩充 GaN 晶圆代工产能。公司拟在青州经济开发区投资 10 亿元建设聚能国际 6-8 英寸硅基氮化镓功率器件半导体制造项目。其中，一期建成投产后将形成 5000 片 / 月的生产能力，二期建成后将进一步提升至 12000 片 / 月。

3. 资本整合端：全资控股核心运营载体
为加快高端工艺量产落地，赛微电子于 2026 年 6 月发布公告，其全资子公司赛莱克斯国际计划以约 6.23 亿元收购国家集成电路产业投资基金（大基金）持有的赛莱克斯微系统科技（北京）19% 股权。交易完成后，赛微电子将实现对核心子公司赛莱克斯北京的 100% 全资控股，从而完整掌握其 GaN 及 MEMS 业务的经营决策权，统一调配资源以扩充晶圆代工产能。

4. 战略定位与技术优势
赛微电子的 GaN 业务主要聚焦于 GaN-on-Si（硅基氮化镓）技术路线。相较于碳化硅基氮化镓，硅基氮化镓具有生长速度快、易扩展到 8 英寸晶圆、与 CMOS 工艺兼容且成本更低等优势，是极具潜力的技术方向，未来有望大量导入 5G 基站功率放大器及电力电子等领域。

总结
赛微电子正通过 " 材料投产 + 制造扩产 + 全资控股 " 三管齐下的策略，深度受益于 AI 算力、新能源汽车及 5G 通信带来的 GaN 器件国产替代浪潮，其在第三代半导体领域的产业生态正在加速成型。

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