快科技 6 月 25 日消息，在别家芯片厂还在追逐 3nm、2nm 的时候，作为 CMOS 柜机工艺的真神，IBM 这一次又拿出了全球首个 0.7nm 工艺，单芯片密度能达到 1000 亿晶体管。

IBM 上一次震撼业界的工艺还是 2021 年全球首发 2nm 工艺，这个工艺也是日本 Rapidus 公司明年量产 2nm 芯片的基础，这次的新工艺明面上是 Sub-1nm，实际上是做到了 0.7nm 等效水平。

与之前公布的 2nm 工艺相比，0.7nm 工艺的性能提升 50%，能效提升了 70%，SRAM 面积缩小了 40%，一个指甲盖大小的芯片可以集成 1000 亿晶体管，比 2nm 的 500 亿翻倍，比 7nm 工艺的 200 亿更是五倍水平。

但是这一次的 0.7nm 工艺重大突破不只是继续微缩，而是创新了晶体管结构，当前 2nm 及以下工艺采用的的 GAA 晶体管结构源于 IBM 公司 2017 年发布的 Nanosheet 纳米片构型，这次 IBM 又推出了纳米堆栈 Nanostack 构型。

传统上晶体管的 p、n 型是并排排列的，Nanostack 则是 p、n 晶体管垂直分隔并交替堆栈，通过超薄的中介层连接两片晶圆，上下层可以使用不同的材料，两型晶体管可以独立优化，大幅提升了密度。

IBM 这种 Nanostack 的技术早在 2025 年的 VLSI 国际会议上就提出了，这次是该技术走向了现实。

0.7nm 工艺距离真正量产还有段时间，IBM 估计的时间是 5 年内，也就是 2031 年，不过 IBM 早在 2014 年就卖掉了芯片制造业务，能研发技术与真正制造出来有很大距离。

台积电、Intel 及三星也在研发自己的 0.7nm 工艺，不太可能使用 IBM 的技术，但日本的 Rapidus 公司是靠 IBM 技术授权的，他们明年的目标是量产 2nm 工艺，距离 IBM 首发 2nm 过去了 7 年时间。

按照 IMEC 之前预测的路线图，业界生产 0.7nm 工艺的时间表是 2034 年，所以 IBM 估计 5 年量产还是偏乐观了，考虑到 1nm 之后的难度提升，再加上还需要 High NA EUV 光刻机，成本也会很高，不会那么快量产的。

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