过去两年,存储行业有一个不容置疑的共识:AI 时代,HBM 是唯一的王。
英伟达的每一代 GPU 都离不开 HBM,从 Blackwell 到 Rubin,堆栈越来越高,带宽越来越大。三星和 SK 海力士为了 HBM 产能争得头破血流。美光 CEO 在财报会上透露,HBM4 累计交付收入已经超过 10 亿美元,ASP 还在涨。所有分析师都在喊同一个逻辑:HBM 产能永远不够,谁有 HBM 谁就是赢家。
但 6 月 25 日高通投资者日上发生的一件事,让这个共识出现了第一道裂缝。
01
6 倍能效挑战 HBM,高通发布 HBC 技术
高通发布了一种全新的 AI 加速架构,叫 HBC ——高带宽计算。它用的不是 HBM,而是 LPDDR。
对,就是你我手机和笔记本里用的那种普通内存。
高通说,AI 推理芯片可以不用 HBM,用 LPDDR 就行。然后甩出了一组数据:HBC 的每瓦内存带宽是 HBM 的 6 倍,每瓦存储容量是 SRAM 的 200 倍。
" 每瓦 " 是关键。高通比的不是绝对速度——绝对带宽上,HBM3E 单堆栈约 1.2 TB/s,LPDDR5X 单芯片约 8.5 GB/s,差距超过 140 倍。高通比的是效率:同样的功耗预算下,谁的产出更高。
这组数据指向一个被长期忽视的事实:HBM 之所以贵,不只是因为 DRAM 芯片本身贵。真正吃掉成本大头的,是封装——把 HBM 堆栈和 GPU 通过一块硅中介层连在一起,用的是台积电的 CoWoS 先进封装。这块硅中介层加上先进封装产能,是整条链路中最贵、最紧缺的环节。CoWoS 产线排到 2027 年以后,供不应求,价格居高不下。
高通的 HBC 绕开了这一切。它把自研的 HBC 加速器堆叠在 LPDDR 存储下方,用 TSV 硅通孔垂直互联——不需要硅中介层,不需要 CoWoS,用标准 2D 有机基板就行。
成本结构完全不一样了。
据 CFM 闪存市场报道,微软计划采用 HBC 架构,Meta 与高通签署了多代数据中心 CPU 合作协议。如果属实,这意味着两家全球最大的云厂商正在用真金白银押注一条和 HBM 完全不同的路线。
02
但高通自己也没有把话说满。
HBC 瞄准的是大规模 AI 推理——对成本敏感、对功耗敏感、但对绝对带宽要求没那么极端的场景。大模型训练仍然需要 HBM 的绝对带宽和容量,短期内不会改变。从高通的技术定位来看,HBC" 并非意在短期内全面替代 HBM",而是在特定场景提供替代路径。
而且 HBC Gen 1 要到 2027 年中才有工程样品,Gen 2 要到 2028 年。近存计算这个概念在学术界喊了很多年,三星和 SK 海力士都演示过 PIM 方案,但从未大规模商用。高通能不能打破这个魔咒,还需要时间验证。
03
有意思的是,高通不是唯一一个在动手的人。
就在同一周,全球半导体标准组织 JEDEC 发布了一份叫 SPHBM4 的标准。这份标准没有投资者日那么大的声量,但它回答的问题同样尖锐:如果 HBM 的 DRAM 芯片本身没问题,问题出在封装上——那能不能只换封装?
SPHBM4 的做法很精巧。先看 HBM4 的规格:约 2000 个引脚,每引脚速率 11 Gbps,总带宽 2.8 TBps。要实现这个带宽,必须用硅中介层做先进封装。
SPHBM4 把引脚数砍到 400 个,只有原来的五分之一。但把每引脚速率拉到 44 Gbps,整整 4 倍。总带宽不变,仍然是 2.8 TBps。
引脚少了,就不需要硅中介层了。标准封装、标准基板就能搞定。
代价是信号完整性要求极高——每引脚从 11 Gbps 飙到 44 Gbps,对电路设计是巨大挑战。SPHBM4 的解法是把芯片间连接距离增加到 20 毫米,改善散热;同时保留与 HBM4 相同的 DRAM 核心堆叠架构,仅通过更换适配标准有机基板的接口基片(Interface Base Die),替换成本较高的硅中介层,在降本的同时维持等效高带宽。
关键点在于:SPHBM4 用的 DRAM 堆栈和 HBM4 是同一颗。三星、SK 海力士、美光的 DRAM 产能不受影响——它们仍然掌握核心堆栈的供应。但封装环节被彻底简化了,成本随之大幅下降。
对于那些没有 CoWoS 产能的芯片厂商来说,这是一条绕开台积电瓶颈的可行路径。
04
从 HBC 到 SPHBM4:重塑 AI 存储成本架构
高通从外面攻——连 HBM 都不用,直接上 LPDDR。JEDEC 从里面拆——保留 HBM 的 DRAM 堆栈,但把最贵的封装环节干掉。
两条路线,技术路径完全不同,但指向同一个判断:HBM 的成本结构,是可以被打破的。至少在推理场景,可以。
这对存储行业意味着什么?
如果 HBC 方向成立,LPDDR 就不再只是手机和笔记本的消费级内存,它会叠加一层 AI 推理的需求增长。LPDDR 供应链远比 HBM 成熟,产能远大于 HBM。对正在布局 LPDDR5 的国产 DRAM 厂商来说,这是一个被市场忽视的变量。
如果 SPHBM4 方向成立,HBM 的 DRAM 堆栈需求不减,但先进封装的垄断被打破。更多芯片厂商可以进入高性能存储领域,不再受制于台积电的 CoWoS 排期。
对模组厂来说,无论走哪条路线,机会都在。HBC 方向意味着 LPDDR 模组的技术门槛在提高;SPHBM4 方向意味着 DRAM 堆栈的渠道需求在扩散——原厂产能集中在超级客户,中长尾客户仍然需要模组厂来承接。
05
HBM 还是不是 AI 存储的唯一解?两年前答案是 " 当然是 "。今天答案是 " 不一定是 "。
这不是说 HBM 会过时——训练场景离不开它,SPHBM4 也仍然需要它的 DRAM 堆栈。但当 HBM 贵到所有人都在找替代方案的时候,存储行业的竞争维度正在悄悄扩展:从 " 谁的 HBM 产能大 ",变成了 " 谁能用更低的成本解决 AI 的带宽问题 "。
这个变化刚刚开始,但不会停。
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撰文 | Aiman
校对 | Ethan
配图 / 排版 | Yuumi
审 核 | Carina、Alan
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