一、 韩国本土：三大核心区域与产业集群

此次投资的重中之重是韩国本土，投资总额超过 1000 万亿韩元，未来十年将重点在韩国多个道（省级行政区）兴建新的半导体产业集群。这些布局主要围绕三个核心区域展开。

1. 首都圈与中部核心区：龙仁、平泽与清州

三星电子：宣布在韩国京畿道中部的龙仁市和西海岸中部的平泽市的半导体产业集群投资 2030 万亿韩元。这将是其未来高端产能的核心区，重点扩建 AI 存储芯片、HBM 高带宽内存、先进 DRAM 和 AI 算力芯片。

SK 海力士：决定在龙仁半导体产业群投资约 600 万亿韩元扩大 DRAM 产能，原计划 2045 年完工的龙仁集群建设将提前 12 年完成。同时，在清州投资约 100 万亿韩元扩大 NAND 闪存产能，并建设 HBM（高带宽存储）封装设施。

2. 西南部新枢纽：光州与全罗道

三星电子：计划在韩国西南部的光州市建设先进的半导体封装工厂，这是其挑战 SK 海力士在 HBM 市场地位的关键举措。光州被韩国政府定位为 " 南部圈革新带 " 的轴心，正在构建先进封装集群。

SK 海力士：计划投资约 400 万亿韩元，在具备必要发展条件的韩国西南部（主要指向光州地区）建立新的半导体产业集群。

政府规划：韩国政府宣布，将在西南部建设四座全新的芯片制造工厂，总投资规模约 800 万亿韩元（约 3.5 万亿人民币），由三星电子和 SK 海力士各负责建设两座。

3. 中部及东南部细分布局

忠清道：三星电子计划在忠清南道建设芯片封装厂，并规划在天安和温阳建设 HBM 基地。SK 海力士则计划在忠清北道扩建 NAND 工厂。此外，韩国政府还规划投入 81 万亿韩元，于忠清地区打造一个完整的芯片封装产业集群。

庆尚道：三星电子计划在釜山布局基板项目，在龟尾布局机器人及手机制造基地。

二、 海外基地：中国西安、无锡与大连

在全力扩产本土的同时，两大巨头并未忽视海外基地的升级，特别是在全球最大的存储芯片消费市场——中国。

1. 三星电子：聚焦西安 NAND 工厂

布局：三星将其海外投资的重点放在陕西西安的 NAND 闪存工厂，这是其唯一的海外 NAND 生产基地，承担了全球约 40% 的 NAND 产能。

投资：2025 年向西安工厂投资 4654 亿韩元（约 21.4 亿元人民币），同比增长 67.5%。投资核心是推进工艺迭代，从 128 层（第六代）NAND 升级至 236 层（第八代）NAND，并已成功实现第八代 V-NAND 闪存的量产。

2. SK 海力士：无锡 DRAM 与大连 NAND 双基地

无锡 DRAM 工厂：获得 5810 亿韩元投资，同比增长 102%，已完成从 1z 工艺（第三代 10nm 级）向 1a 工艺（第四代）的升级，可量产 DDR5、LPDDR5X 等高规格产品。该厂承担了 SK 海力士全球 30% 至 40% 的 DRAM 产能。

大连 NAND 工厂：投资 4406 亿韩元，增长 52%，正推进 321 层第九代 NAND 闪存的产线转换，以匹配 AI 和数据中心的需求。这是自 2022 年收购英特尔大连工厂后，首次进行万亿级规模的投资。

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