《科创板日报》6 月 29 日讯 今日，韩国产业通商资源部长官金正官表示，计划投资 800 万亿韩元（约 5180 亿美元）在韩国西南部建设四座半导体制造厂，预计在五年内将 DRAM 生产能力翻倍，预计全球内存市场将在 5 年内增长四倍。

金正官指出，韩国计划加快西南地区的审批和建设，以迅速扩大存储芯片产能。韩国中部地区将重点发展先进封装技术，而东南部地区将发展成为半导体材料、零部件和设备以及下一代功率芯片的中心。

与此同时，存储巨头也相继开启大规模扩产计划。

三星电子会长李在镕和 SK 集团会长崔泰源在今日会议上共同宣布一项在未来 10 年内总额高达 2000 万亿韩元（约 1.3 万亿美元）的跨时代本土投资计划。其核心是打破传统的首都圈集中模式，向以全罗道为中心的西南地区进行大举投资。

其中，三星电子计划将光州原空军基地选为半导体前道工序晶圆厂（Fab）的核心选址，预计建设 4-5 座晶圆厂；SK 海力士也将在光州打造 4-5 座前道晶圆厂。仅在半导体新设项目上，两家巨头的投资额预计将各达 600 万亿韩元，远超此前京畿道龙仁集群的规模。

为支撑存储扩产计划，存储巨头正竞相加大设备与材料供应。如 SK 海力士明确表示将利用赴美上市募资所得进行设备采购、存储材料订单。该公司正在为清州 P&T6 封装测试工厂引进额外设备，以应对第六代高带宽内存（HBM4）封装与测试需求。

东吴证券表示，当前 SK 海力士全力推进扩产，规划五年内晶圆产能翻倍、2034 年产能扩至三倍，2026 年资本支出将大幅高于去年，大幅拉升了上游设备采购需求，半导体设备迎来卖方市场。存储扩产有望带动半导体设备放量，看好相关设备商和零部件的出海机遇，同时国产化替代进程加速，设备需求有望放量。

华泰证券指出，伴随存储企业扩产，全球半导体材料市场有望迎来快速增长。此外，当前我国半导体材料国产化率整体仍较低，伴随自主可控要求提高、国内企业产品竞争力提高，国产化率有望提高。

据《科创板日报》不完全统计，A 股以下半导体设备与材料公司已进入韩国存储供应链：

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