财联社 6 月 29 日讯（编辑 夏军雄）美银证券在最新研报中指出，美光科技第三财季（3-5 月）财报和指引强劲，为持续升温的存储芯片行情提供了迄今最强的一次验证。

该行认为，全球存储行业正在进入一轮可能延续至 2027 年、甚至更久的超级周期。与以往由 PC、手机补库存主导的短周期不同，本轮景气的核心，是 AI 服务器对高带宽内存（HBM）、先进 DRAM 和企业级 SSD 的需求激增，同时供给端扩张却受到资本、工艺、厂房和基础设施等多重限制。

美银预计，全球 DRAM 和 NAND 市场规模将在 2026 年达到 8768 亿美元，2027 年突破 1.2 万亿美元。增长建立在价格大幅上升、AI 服务器存储需求扩张、HBM 持续放量以及供给受限的基础之上。

美光交出高增长答卷

美光本季业绩的突出之处，不仅在于营收规模快速扩大，也在于利润率达到历史高位。

截至 2026 年 5 月的第三财季，美光营收达到 410 亿美元，同比增长 346%；毛利率升至 85%，营业利润率达到 81%。公司预计截至 8 月的第四财季营收将进一步达到 500 亿美元，环比增长约 21%。

这意味着美光单季年化收入规模约 2000 亿美元。若以美光约 20% 左右的全球市场份额估算，全球 DRAM 和 NAND 市场的年化规模已接近 1 万亿美元。

美光还披露，HBM4 累计销售额已达到约 10 亿美元。

从产品价格看，美光第三财季 DRAM 平均售价环比上涨约 60% 以上，NAND 平均售价环比上涨约 80% 以上。

价格上行叠加产品结构改善，使公司毛利率和营业利润率大幅攀升；其中 DRAM 业务营业利润率达到 81%，NAND 业务营业利润率也达到 78%。

这一盈利能力远高于传统存储周期中的常态。过去，DRAM 和 NAND 通常被视为高度同质化、价格波动剧烈的商品市场，厂商在供需反转时往往迅速陷入价格竞争和利润压缩。但本轮行情中，高端产品供应不足、客户争夺长期供货保障、厂商控制低端扩产节奏，共同提升了存储企业的议价能力。

AI 服务器内存和存储容量快速上移

美银预计，服务器将在 2026 年占全球 DRAM bit 需求约 43%，到 2027 年将升至 56%，2028 年进一步达到 58%。

AI 服务器尤其关键。与传统通用服务器相比，AI 训练和推理系统不仅需要更多计算芯片，也需要更大容量、更高带宽、更低延迟的内存体系。

从单机配置看，服务器 DRAM 容量预计将从 2025 年的 1066GB 增至 2026 年的 1172GB，2027 年达到 1251GB，2028 年进一步升至 1383GB。服务器 SSD 容量同样快速提高，预计将从 2025 年的 3640GB 增至 2026 年的 3959GB、2027 年的 4305GB、2028 年的 4683GB。

AI 基础设施对单位设备存储密度的提升，正在弥补甚至超过消费电子需求的疲弱。

在 NAND 市场，SSD 需求的重要性同样上升。美银预计，SSD 将在 2026 年占全球 NAND bit 需求约 35%，2027 年升至 44%，2028 年达到 45%。其中，数据中心和服务器 SSD 将成为主要增量来源。

HBM 则是 AI 带动存储价值量提升的最典型产品。美银预计，全球 HBM 销售额将从 2025 年的 64.6 亿美元增至 2026 年的 269.4 亿美元、2027 年的 485 亿美元、2028 年的 627.3 亿美元，并在 2030 年达到 836.1 亿美元。

由于 HBM 技术门槛更高、封装环节更复杂、单位价值远高于普通 DRAM，其增长将显著改善头部厂商的收入质量和利润结构。

新增供给难以追上需求

通常而言，存储价格飙升会刺激厂商扩产，并最终导致供给过剩。然而，美银认为，本轮周期的关键特征在于：资本开支虽然快速增长，但可转化为有效供给的新增产能依然有限。

美银预计，2026 年全球 DRAM 资本开支将增长 65%，NAND 资本开支将增长 56%，两者合计资本开支约 1192 亿美元，同比增长 63%。但这并不意味着传统存储晶圆供给会同步大幅增加。

（美银对全球存储行业营收、ASP 以及资本开支的预测）

一方面，先进制程和 HBM 生产占用了更多晶圆资源。HBM 并非简单的 DRAM 升级产品，其制造涉及更复杂的晶圆工艺、堆叠和先进封装，单位产出对晶圆、设备和工程资源的消耗显著高于普通 DRAM。厂商将更多资源转向 HBM，意味着传统 DRAM 可供市场的有效产能受到挤压。

另一方面，新建晶圆厂并不容易。厂房建设需要大量资金，且面临电力、用水、环境审批、地方监管、设备交期和技术良率等约束。即使厂商增加资本开支，扩产效果也可能需要数年才能完全体现。

美银预计，2026 年 DRAM 产能仅增长 11%，2027 年增长 9%；NAND 产能在 2026 年增长 5%，2027 年增长 4%。与需求和价格的爆发式增长相比，供给增速显得温和。这种 " 高资本开支、低有效供给增长 " 的组合，是本轮存储价格能够维持高位的重要原因。

韩国半导体出口数据也侧面印证了景气度。6 月前 20 日，韩国半导体出口额达到 255 亿美元，环比增长 16%，同比增长 188%，已连续五个月维持三位数增长。考虑到韩国出口结构中存储芯片占据重要位置，这一数据反映出全球客户采购和价格上涨正在共同拉动行业收入。

（韩国半导体出口增长趋势）

长期协议正改变商业模式

另一个值得关注的变化是长期供货协议的增加。

美银认为，大型存储厂商正更多与云计算巨头、AI 芯片厂商和 OEM 客户签署长期协议，以锁定供货量、价格机制和产品组合。过去，存储芯片大量依赖现货市场和季度价格谈判，价格波动往往迅速传导至厂商收入和利润，行业盈利极不稳定。

长期协议的增加，可能降低存储市场对短期现货价格的依赖。其直接结果是，未来 ASP（平均售价）未必会像此前一样持续暴涨，但厂商的收入可见度、产能规划能力和利润稳定性有望提高。

这种变化尤其有利于拥有高端产品、技术能力和全球客户资源的头部公司。三星电子、SK 海力士和美光在 HBM、先进 DRAM、企业级 SSD 等领域具备更强优势，也更有能力与大型客户建立长期供货关系。

相比之下，产品结构仍以传统 DRAM 为主、长期协议覆盖率较低的厂商，虽然也能受益于整体价格上涨，但盈利波动可能更大。

以南亚科技为例，其 DRAM 销售仍主要依赖月度或季度议价，因而对现货和短期合约价格的敏感度更高。

从行业角度看，这意味着存储芯片可能不再完全遵循过去 " 涨价—扩产—过剩—亏损 " 的剧烈循环。

若长期协议、高端产品占比和供给纪律能够持续，存储行业的盈利模式有望向晶圆代工靠拢：高资本门槛、稳定客户关系、更长订单周期和更高自由现金流水平。

DRAM 强于 NAND，头部厂商受益更明显

尽管整体景气向上，DRAM 和 NAND 的表现并不完全一致。

DRAM 仍是本轮周期中最强的品类。美银预计，全球 DRAM 销售额将在 2026 年达到 5572 亿美元，同比增长 316%；2027 年进一步增至 7991 亿美元，同比增长 43%。DRAM 平均售价预计 2026 年同比上涨 242%，2027 年再涨 23%。

NAND 市场同样受益于企业级 SSD 和 AI 数据中心需求，但价格表现弱于 DRAM。美银预计，全球 NAND 销售额将在 2026 年达到 3196 亿美元，同比增长 295%，2027 年达到 4130 亿美元，同比增长 29%。但 NAND 现货价格近期已出现走弱：1Tb、512Gb 和 256Gb 晶圆价格均环比下跌约 2%。

这意味着，NAND 供需虽在改善，但其市场结构、产品差异化和定价能力仍弱于 DRAM。对投资者而言，DRAM、HBM 和高端服务器内存产业链的景气确定性相对更高，而 NAND 领域则需要关注企业级 SSD 需求能否持续抵消传统消费电子市场的疲弱。

在公司层面，SK 海力士是 HBM 需求爆发的直接受益者；三星电子则同时覆盖 DRAM、NAND、HBM 和先进封装，具备更完整的产品布局；美光则通过业绩证明其在高端存储领域的追赶速度正在加快。

铠侠、闪迪和西部数据等 NAND 厂商也将受益于企业级 SSD 升级，但短期仍需面对 NAND 价格波动带来的不确定性。