三星电子采用 " 深槽切割 " 工艺，将堆叠在 HBM 顶部的虚拟芯片的侧面加工成三级阶梯状曲面结构，这种方法可以有效改善高堆叠 HBM 中常见的芯片分层、开裂和翘曲等问题。

6 月 30 日，三星电子发布 HBM 封装新专利，名为 " 包括沿垂直方向堆叠的多个半导体芯片的半导体封装 "，旨在解决高带宽内存（HBM）封装的可靠性问题。根据其 28 日提交的申请，三星电子采用 " 深槽切割 " 工艺，将堆叠在 HBM 顶部的虚拟芯片的侧面加工成三级阶梯状曲面结构，这种方法可以有效改善高堆叠 HBM 中常见的芯片分层、开裂和翘曲等问题。另外，热管理方面，该专利将粘合绝缘层底面与水平延伸面之间的垂直距离精确设计在 1-10 微米之间，使传热效率保持在现有水平；还包含一种改进的凸起表面结构，可最高限度地减少成型层的体积，从而有可能改善传热路径。