盘面上，深市低开高走，沪市低开震荡，芯片设计概念上涨。相关 ETF 方面，科创芯片设计 ETF 天弘（589070）标的指数盘中涨 2.95%，成交额达 5551.08 万元；换手率达 3.44%。成分股中，格科微、翱捷科技 -U 涨超 5%，思瑞浦、安凯微、寒武纪等多股跟涨。

值得关注的是，Wind 显示，科创芯片设计 ETF 天弘（589070）近 13 个交易日（2026 年 6 月 10 日— 2026 年 6 月 29 日）实现连续 " 吸金 "，最近 20 个交易日累计获资金净流入 10.23 亿元。截至 2026 年 6 月 29 日，该基金最新规模为 16.02 亿元，再创上市以来新高，为同标的全市场第一。

科创芯片设计 ETF 天弘（589070）紧密跟踪科创芯片设计指数，该指数近一年涨幅达 154.47%，其行业配置主要包括半导体（95.15%）、军工电子Ⅱ（3.74%）、软件开发（0.66%）等，前五大成分股为澜起科技、寒武纪、海光信息、佰维存储、芯原股份。该 ETF 还配备了 2 只场外联接基金（A 类：027574；C 类：027575）。

消息面上，据新浪财经，韩国政府联合三星电子、SK 集团宣布启动以半导体、物理 AI 及 AI 数据中心为核心的 " 三大超级项目 "，计划投入超过 4755 万亿韩元，旨在构建本土 AI 生态系统以支撑其未来数十年的发展。同期，据网易新闻，韩国官员预计将在五年内实现 DRAM 生产能力翻倍，并预测全球内存市场规模将在同期增长四倍。此外，两大集团的投资重点包括在西南地区新建多座晶圆厂，并大幅提前龙仁半导体产业集群的建设周期。

英大证券认为，科创芯片作为战略核心资产，其 " 自主可控 " 与 " 国产替代 " 的长期向好逻辑未变，尤其在政策强力扶持下，设备、材料及制造环节将深度受益。随着市场重心转向验证业绩，板块内部分化将加剧，具备真实业绩增长的细分龙头有望走出独立行情，而无基本面支撑的题材股将面临回调风险。投资者应避免追高，采取逢低布局优质龙头的策略。

风险提示：本文观点不构成任何投资建议，请投资人独立判断和决策。指数基金存在跟踪误差。