在经历前两个交易日接近 10% 的下跌后，韩国股市迎来了强劲的报复性反弹。

截至收盘，日韩股市集体收涨。韩国 KOSPI 指数涨 5.76%，从早盘的不足 7400 点拉升反弹至 8088 点。个股中，三星电子涨超 8%，SK 海力士涨超 10%。由于 KOSPI 期货价格飙升，韩国交易所一度暂停程序化买盘。

日经 225 指数收涨 1.47%，此前一度跌超 1%。

随着韩国股市涨幅的扩大，港股存储概念股涨幅亦进一步扩大，南方两倍做多三星电子大涨超 14%，南方两倍做多海力士涨超 10%。

消息催化上，据 ZDNET Korea，业内人士 3 日透露，三星电子目前正与各大主流客户（包括服务器、PC、移动端巨头）进行全面谈判，目标是将今年第三季度的 DRAM 平均售价比上一季度直接调高 20%。

资金方面，机构资金正在逆势抄底。

《首尔经济日报》3 日上午 11:14 报道的数据显示，机构买盘强劲，金融投资（含 ETF 资金）净买入 1.2 万亿韩元，国民年金净买入 1,600 亿韩元，投资信托净买入 2,000 亿韩元，保险资金净买入 495 亿韩元——机构合计买入近 1.7 万亿韩元。

与之形成鲜明对比的是，个人和外资分别净卖出 4000 亿韩元和 1.4 万亿韩元。

" 芯片通胀 " 将继续

值得注意的是，随着 AI 市场持续扩张，通用型 DRAM 和 NAND 闪存芯片的月度均价已创下历史新高。

分析师认为，在供给短缺与旺盛需求的共同作用下，此轮涨价将持续至下半年。" 芯片通胀 " 现象预计将在长期内延续。

据市场研究机构 DRAMeXchange 数据，6 月通用型 PC DRAM（DDR4 8Gb 1Gx8）的固定交易均价达到 2.1 美元，较 5 月的 2.0 美元环比上涨 5%。这一价格是自 2016 年 6 月调查启动之初的 2.9 美元的七倍多，创下历史新高。

DRAM 价格从去年 4 月的 1.65 美元起，连续上涨了 11 个月，直至今年 2 月。在 3 月份持平于 13 美元后，价格在 4 月大幅上涨至 16 美元（环比上涨 23.08%），5 月涨至 20 美元，6 月继续稳步上行。

NAND 闪存同样走出稳健的上扬曲线。6 月存储卡和 U 盘用通用型 NAND（128Gb 16Gx8 MLC）的固定交易均价录得 2.88 美元，环比上涨 8.7%。NAND 价格已连续上涨 18 个月。与去年 6 月的 3.1 美元相比，价格已上涨超过九倍。

细分来看，受库存短缺和需求上升推动，6 月 SLC（单层单元）产品的平均售价环比大涨 28%-31%，显著高于上月 3%-16% 的涨幅。MLC（多层单元）产品环比上涨 8%-12%，保持稳定上升态势。

存储芯片价格的上涨预计短期内将持续。集邦咨询预测，DRAM 供应商将在 7 月和 8 月相继提价，并相互跟进价格调整。据此，该机构将第三季度 PC DRAM 固定交易价格环比涨幅预测从此前的 8-13% 上调至 15-20%，同时将第四季度涨幅预测从 0-5% 上调至 3-8%。

针对 NAND 市场，集邦咨询分析指出：" 第三季度将迎来传统备货旺季，订单量增加；由于产能不足导致的供需失衡，SLC 产品价格在 Q3 可能暴涨约 60%-70%。"

不过，该机构也补充道，" 进入第三季度，MLC 产品的上涨势头将有所放缓 "。

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