面对三星电子 2026 年第三季度 DRAM 价格环比再涨 20% 的强势冲击，国内主流存储厂商凭借提前签订的长期供货协议和大量囤货，已将上游涨价的冲击控制在可控区间，部分头部模组企业甚至迎来业绩的爆发式增长。

一、涨价背景：三星连续三个季度大幅提价

三星电子已在 2026 年 7 月初向客户发出口头通知，计划将第三季度通用 DRAM 平均售价环比提高 20%，LPDDR 产品提价幅度甚至超过 20%。这已是三星连续第三个季度推动 DRAM 价格大幅上调：第一季度涨幅约 90%，第二季度预计达 50% 至 60%。

本轮涨价的底层逻辑是 AI 算力需求爆发带来的结构性供给短缺。单台 AI 服务器的 DRAM 用量是传统服务器的 8 至 10 倍，而三星、SK 海力士等原厂将七成以上先进产能转向高利润的 HBM 高端存储，导致通用 DRAM 产出被持续挤压。行业机构预判，存储紧缺的格局至少将持续至 2027 年。

二、国产厂商的防御布局：锁量锁价策略

面对三星强势的涨价攻势，国内头部存储企业并未被动承接冲击，而是通过提前 " 锁量锁价 " 的长协策略构筑了坚实的防御壁垒。

佰维存储是布局最为积极的厂商之一。2026 年 3 月，佰维存储与某存储原厂签订为期 24 个月的晶圆采购合同，总承诺金额达 15 亿美元，价格、数量及采购时间全部锁定；同年 6 月，其再度公告签订为期 24 个月的企业级闪存颗粒采购合同，总承诺金额高达 18.61 亿美元（约合人民币 126 亿元），合约履行至 2028 年 6 月。

德明利则在下游端发力，2026 年第一季度末合同负债达 13.34 亿元，主要系预收下游客户货款增加所致，暗示终端客户正积极通过预付款锁定其存储产品供应。

江波龙更是直接将大量现金转化为库存弹药，2026 年第一季度末存货高达 179.6 亿元，同时与多家全球主要存储晶圆原厂续签了晶圆供应协议（LTA）和谅解备忘录（MOU），充分保障了上游晶圆供应。

三、周期红利：国产厂商业绩爆发

锁量锁价策略不仅帮助厂商抵御了涨价冲击，更使其在本轮存储超级周期中收获了丰厚的业绩红利。

江波龙发布的 2026 年半年度业绩预告显示，预计上半年归属于上市公司股东的净利润为 92 亿元至 110 亿元，同比增长 622 倍至 743 倍。业绩暴增的核心驱动正是涨价周期下库存价值重估，以及长协锁价带来的成本优势。多家市场分析人士指出，在当前存储芯片持续涨价的预期下，下游客户提前下单、锁定价格的行为，与模组厂向上游锁量锁价正在成为行业主流操作。

四、行业展望与潜在风险

短期来看，三星 20% 的涨价目标能否完全落地仍有待客户谈判结果。TrendForce 集邦咨询预计，受消费级应用需求下修及高基期作用，第三季度 DRAM 合约价实际涨幅大概率收敛至 13% 至 18%。但无论如何，行业涨价趋势已经确立。

对国产厂商而言，风险存在于两方面：一是消费电子终端需求若持续偏弱，将抑制下游客户对涨价的承接意愿；二是若海外原厂集中释放新增产能，供需缺口可能逐步收窄。此外，" 大空头 " 投资者迈克尔 · 伯里已做空美光科技，其认为存储芯片涨幅已达历史极端水平，存在下行风险。

五、总结：从被动承压到主动御敌

三星的涨价通知是对国产存储产业链韧性的终极测试。从佰维存储的百亿级长协、江波龙的巨额存货与业绩暴增，到德明利的预付款锁定下游订单，国内厂商已不再是单纯的价格接受者，而是凭借前瞻性布局实现了成本锁定与周期红利的双重收获。在 AI 驱动的存储超级周期中，具备锁价能力和稳定供应的国产头部企业，短期冲击可控、中期弹性释放、长期份额有望持续提升。

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