三星和 SK 海力士宣布，计划未来十年内投资约 1350 万亿韩元（约合 8740 亿美元 / 人民币 59270.31 亿元），主要用于扩建半导体生产能力及数据中心。其中涵盖了 DRAM、NAND 闪存和逻辑芯片部分，也有 AI 数据中心、电池和显示屏工厂，以及相关设备，包括芯片制造工具、蚀刻、光罩等诸多领域。

这是一项由韩国政府主导的计划，通过三星和 SK 海力士大规模扩建 DRAM 和 NAND 闪存制造工厂，目标五年内实现存储芯片产能翻倍，从而引领全球存储市场。预计十年计划结束时，三星和 SK 海力士将在韩国新建四到五座半导体工厂，巨量投资涌入也将新增大量工作岗位。

TECHPOWERUP 表示，SK 海力士计划到 2027 年再安装 20 台 EUV 光刻机，同时从 ASML 处采购了 2 台 High-NA EUV 光刻机。三星已订购 7 台 EUV 光刻机，计划 2027 年末之前完成安装，另外正在将 High-NA EUV 光刻机整合至未来生产线。

三星和 SK 海力士创纪录的产能扩张计划标志着韩国半导体产业的转折点，表明了韩国政府希望主导全球芯片和 AI 市场的决心。根据之前的计划，这些晶圆厂要等到 2040 年或以后投产，现在新的时间点定在了 2033 年，展示了韩国半导体企业在应对 AI 计算需求上升时的积极态度。

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