铠侠（Kioxia）和闪迪（SanDisk）宣布，第十代 BiCS FLASH 1Tb TLC 闪存的样品已开始出货，由位于日本岩手县北上市的半导体生产设施 Fab 2（K2）负责制造。铠侠打算集成到企业级及数据中心 SSD 中，以满足 AI 存储日益增长的需求。

第十代 BiCS   FLASH 1Tb TLC 闪存采用了 CBA（CMOS directly Bonded to Array）和 OPS（On-Pitch   Select Gate Drain）技术，自第八代 BiCS   FLASH 以来这两项技术就一直沿用。其中 CBA 是将每个 CMOS 晶圆和单元阵列晶圆单独制造，然后粘合在一起，以提供增强的位密度和快速的 NAND   I/O 接口速度。OPS 则是通过创新的横向收缩技术，进一步提升位密度。

第十代 BiCS FLASH 1Tb TLC 闪存的层数从第八代 BiCS FLASH 的 218 层增至 332 层，总层数增加了 38%，经过优化平面布局后，位密度提升了 59%，超过 29Gb/mm2，实现了业界领先的 1TB   TLC 闪存密度；NAND   I/O 接口速度从 3.6Gbps 提升至 4.8Gbps，提升了 33%；写入和读取效率分别提升了 18% 和 30%；I/O 能效提升，数据输入功耗降低 10%，输出功耗降低 34%；采用 Toggle   DDR6.0 接口标准和 SCA 协议，引入了 PI-LTT 技术，以实现高速、低功耗运行。

目前铠侠同时推进两条截然不同的产品路线：第九代 BiCS FLASH 闪存解决方案以相对低的投资成本来提供高性能表现；第十代 BiCS FLASH 闪存解决方案则利用先进的层叠技术，实现超大容量和卓越性能。

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